SnAgCu表面贴装焊点在时效和热循环过程中的组织及剪切强度变化

研究了 ＳｎＡｇＣｕ／Ｃｕ和 ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ表面贴装焊点在时效和热循环过程中的微结构及剪切强度的变化结果表明， ＳｎＡｇＣｕ与 Ｃｕ的反应速率大于其与 Ｎｉ－Ｐ的反应速率．经长时间时效后， ＳｎＡｇＣｕ／Ｃｕ焊点中 ＳｎＡｇＣｕ与 Ｃｕ的界面成为弱区，而 ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ焊点的剪切断裂则发生在 Ｎｉ－Ｐ与 Ｃｕ的界面．热循环过程中两种焊点均产生裂纹且强度下降．长时间热循环后 Ｎｉ－Ｐ与 Ｃｕ分层脱开， ＳｎＡｇＣｕ／Ｎｉ－Ｐ焊点失去强度．

时效对无铅焊料Ni-P/Cu焊点的影响

研究了１５０℃等温时效对６２Ｓｎ３６Ｐｂ２Ａｇ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ及共晶ＳｎＡｇ／Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ表面贴装焊点微结构及剪切强度的影响．结果表明，在钎料与Ｎｉ－Ｐ间的界面存在Ｎｉ３Ｓｎ４金属间化合物层,其厚度随时效时间增加，Ｎｉ－Ｐ层的厚度减小；时效后，ＳｎＰｂＡｇ、ＳｎＡｇ焊点的剪切强度下降．对于ＳｎＡｇ焊点，时效２５０ｈ后其剪切强度剧烈下降，断裂发生在Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ界面上，在长时间时效后焊点一侧的Ｎｉ－Ｐ层中Ｐ的含量较高可能是Ｎｉ－Ｐ／Ｃｕ结合强度变差的主要原因．ＳｎＰｂＡｇ焊点保持着较高的剪切强度．

等温时效对SnAg/Cu表面贴装焊点微结构及剪切强度的影响

研究了等温时效对 ＳｎＡｇ／Ｃｕ表面贴装焊点微结构， Ｓｎ－Ｃｕ金属间化合物生长及其剪切强度的影响，并与常用的６２Ｓｎ３６Ｐｂ２Ａｇ／Ｃｕ焊点进行了比较，结果表明，在时效过程中， ＳｎＡｇ钎料以较小的反应速率与 Ｃｕ发生反应 ＳｎＡｇ焊点显示了较强的剪切强度并且其受时效的影响较

Ag-Pd和Ni对无铅钎料焊点形状、微结构及剪切强度的影响

研究了器件端头两种不同的金属化层（Ａｎ－Ｐｄ和 Ｎｉ／Ａｎ－Ｐｄ）对 Ｓｎ－Ｓｂ钎料表面贴装焊点的形状、微结构及剪切强度的影响，并与常用的 Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ钎料焊点进行了比较结果表明。 Ｓｎ－Ｓｂ／Ａｇ－Ｐｄ焊点由于 Ｓｎ－Ｓｂ钎料与 Ａｇ－Ｐｄ层在回流焊接过程中的剧烈反应导致钎料在器件端头区域集中而不在 Ｃｕ焊盘上充分铺展，焊点强度低，断裂发生在原 Ａｇ－Ｐｄ／陶瓷界面；Ｓｎ－Ｓｂ／Ｎｉ／Ａｇ－Ｐｄ焊点中 Ｎｉ有效地阻止了 Ａｇ－Ｐｄ在钎料中的溶解，焊点形状理想，强度很高；而对于Ｓｎ－Ｐｈ－Ａｇ饵料，器件金属化层对焊点形状和强度影响不大，剪切测试后，断裂发生在钎料内部．

N_2在Pd中的中温扩散及其对物性的影响

用四引线原位电阻法研究了 Ｐｄ线（直径 ２５ μｍ）在 ３００℃左右流动 Ｎ２气氛中退火时 Ｎ２在 Ｐｄ丝中的扩散，扩散过程符合一维无限长圆柱的体扩散模型，结果不同于传统认为的 Ｐｄ在 １４００℃以下不吸 Ｎ２的结论，拉伸实验证明，

电子封装中氮化硅/硅酮双层薄膜的水汽防护研究

测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线 ,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数 ,进而计算出水汽扩散的激活能 ,定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明

MLCC的质量控制与失效分析

前言 无源元件(passive component)在电子产品中占有十分重要的地位.虽然很多无源元件在整个电子产品中所占的物料价值并不高,但任何一个微不足道的元器件的失效都可能导致整个系统的失效.一般电子产品中有源元器件(IC)和无源元件的比例约为1:10-20.从该数据可以看出无源元件质量控制的重要性.

原位电阻法研究高温器件焊面多层金属膜间的扩散

采用原位电阻法测量了高温器件焊面多层金属膜Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｄ／Ｔｉ在３００℃不同气氛下电阻随退火时间的变化．结果表明，３００℃退火时Ａｕ膜中存在Ｔｉ的扩散导致电阻显著增加，但电阻随时间变化与气氛的关系不大．电阻变化的规律基本符合一维有限厚无限大平面体扩散模型．空气中退火时电阻增加小于 Ａｒ气氛下退火电阻增加，可用 Ａｕ膜中 Ｔｉ扩散速率的差异来解释． Ｐｄ／Ｔｉ膜在 Ａｒ气氛下退火时电阻基本无变化，但空气中退火时因 Ｔｉ层部分氧化而导致膜的电阻少量增加（约 ３％）．

正交实验方法研究PECVD碳化硅薄膜的防水汽扩散性质

利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄膜防水汽扩散能力的规律。实验发现，射频频率的变化对碳化硅薄膜的防水汽扩散能力影响最大，气体流量比次之，而功率和气体压力的变化影响较小。

有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。

交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究

用ＰＥＣＶＤ方法制备氮化硅薄膜，研究了射频频率对氮化硅薄膜的沉积和性质的影响。结果表明，在低频下（１００ＫＨｚ）制备的氮化硅薄膜密度较大，具有８ｘ１０９Ｐａ左右的压应力和较小的刻蚀速率；而高频（１３．５６ＭＨｚ）沉积的氮化硅薄膜密度较小，具体约２ｘ１０９Ｐａ的张应力，刻蚀速率较大。红外光谱表明，薄膜性质同薄膜中的氢原子成键情况有关。实验中利用高、低频交替沉积的方法，成功地制备了低应力（１０７Ｐａ）氮化硅薄膜。当加热到５００Ｃ时，应力较大的氮化硅薄膜会发生开裂（张应力）或拱起（压应力）。低应力的氮化硅薄膜能够承受７００Ｃ的温度，温度更高时，薄膜的完整性因氢溢出而破坏。

秋庭戏婴图考析

"九仙学苑"是由著名古代书画收藏家朱绍良作为清艺汇古代书画研究班导师开辟的专栏。朱绍良2010年被《收藏家》杂志评为全球华人十大收藏家之一,曾任教于北京大学、清华大学、上海交通大学、广州美院等高校,他力求在此栏目中毫无保留地与大家分享近20年收藏经验与心得,带领学生们探究用科学方法论鉴别和欣赏中国古代书画,并希望借此引领更多的艺术品爱好者深入到古代书画的研究和收藏中。

从龙纹演变看明晚期御窑瓷器特点

纵观中国历史和陶瓷发展史,皇权、瓷器、龙纹三者有密不可分的关系。但三者也不是一成不变,每个时代甚至每个朝代,陶瓷上的龙纹都会有所不同,有些龙纹的细部处理与当朝皇帝的性格、政治局势、社会关系等都有某种密切关联。明代享国276年,历经17朝16位皇帝。自嘉靖皇帝按照宗法制中的"兄终弟及"侧入皇帝之位始,明代社会发生重大转折。嘉靖、隆庆、万历三朝历时99年,处于明代晚期。这一时期社会的多元性、皇帝个人的偏好和景德镇制瓷业"官搭民烧"现象的普遍,造成代表皇权的瓷器上的龙纹独具特色,与其他各代、各朝形成鲜明对比。本文拟通过提取各时代典型标准器上带有龙纹的御窑瓷器,形成"龙纹标准器群",来表现龙纹在各个时代的演变。

界画和服饰古代书画断代的两大关键点 《江帆楼阁图》断代试析

在中国数千年的古代书画史中,一件传世作品的断代,我们不能仅看它的著录、题跋等,因为一是宋元人往往把有根据的传摹品也称为真;二是古人的信息及资料有限等情况,误辨真伪实为常事。那么面对一件古代书画作品,究竟是何人何代的作品,我们如何辨识呢？在诸多方法中,用“界画、服饰鉴定中国古代书画”进行断代,是一套较为科学严谨的方法。由于时代的不同,绘画里的建筑物、人物服饰有着明显不同。

一幅古画惊现“双胞胎”,抄袭或是学习?

本文拟通过将董源和王《夏景山口待渡图》"双胞胎"作为案例进行分析,以确立古代书画中"双胞胎"的定义和创作目的,厘清古人"摹、临、仿"三种绘画方法。通过董源《夏景山口待渡图》(下文简称"董源《夏景》")递藏的社会背景和王生平的交集,探寻此"双胞胎"的作者王是否见过董源真迹。并通过此"双胞胎"探寻五代与清代、董源与王翚作品的时代风格和个人风格的异同。分析王临《夏景山口待渡图》(下文简称"王《临夏景》")上所钤收藏印,破解被常年忽略的一位与王晚年来往密切的达官收藏者。

爪甲竞风流

中国绘画讲求“有图必有意，有意必吉祥”。所以，寓有大吉大利、吉祥富贵、锦绣前程、百鸟朝凤、益寿延年等吉祥意义的题材受历代画家喜爱。而“鸡”成为表达这些美好寓意最好的素材，历代“鸡”题材花鸟画尤为盛行，画家有意无意地也从该题材中传达出了时代风格和政治面貌。