静电纺丝制备n型和p型多晶结构ZnO纳米纤维及器件

通过静电纺丝技术制备镧和铈掺杂的p型ZnO纳米纤维,运用SEM对样品的表面形貌进行表征。XRD结果表明,稀土元素掺入了ZnO晶格内,两种掺杂的纳米纤维以ZnO相为主相,拉曼图谱的检测结果也表明铈掺入了ZnO晶格中。伏安特性的检测结果表明,ZnO纳米材料具有良好的光电效应,经掺杂后光电效应变差。典型的场效应曲线检测表明镧及铈掺杂的ZnO是典型的p型半导体材料,经12个月后再次检测证明其具有良好的稳定性。通过二次双层纺丝的方法制备了镧及铈掺杂的ZnO同质结。由p型和n型ZnO组成的同质结表现出非常好的整流效应,开启电压为3V。