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等离子体化学气相淀积TiO_2薄膜材料 被引量:5
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作者 沈瑜生 张俊颖 相承宗 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第1期1-6,共6页
本文报导了以钛酸丁酯((C_4H_9O)_4Ti)为反应源物质,采用等离子体化学气相淀积(P-CVD)技术,在不同衬底上淀积出性能良好的TiO_2薄膜材料,并对其结构和气敏特性进行了初步研究。
关键词 薄膜 TiO2 等离子体化学气相淀积 气敏元件
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