(Zn_xMg_(1-x))TiO_3微波介电性能及其TiO_2掺杂研究

调节不同的r（Zn／Mg）值，用普通固相合成法制备了（ZnxMg1-x）TiO3（x=0．1～0．5（摩尔比）微波陶瓷基料，研究了r（Zn／Mg）及预烧温度对其微波和烧结性能的影响，并通过TiO3和CaSiO3玻璃掺杂改善了（ZnxMg1-x）TiO3基料的微波性能，最终获得了可在1170℃烧成的相对介电常数εr=26～28，品质因数与频率之积Q·f〉70000（10GHz），谐振频率温度系数τf〈±10×10^-6／℃的微波陶瓷。

粒度对纳米掺杂BaTiO_3陶瓷结构和性能的影响

制备了纳米掺杂BaTiO_3陶瓷,研究了纳米掺杂剂和BaTiO_3的粒度对BaTiO_3陶瓷的微观结构和介电性能的影响．结果表明,小粒度、高分散的纳米掺杂剂更易对BaTiO_3颗粒实现均匀包裹,有效地抑制晶粒生长并形成更多的壳-芯晶粒,大比表面积使更多高活性的表面原子与BaTiO_3发生原子输运形成传质,导致晶粒壳/芯比增大,从而提高其介电性能．纳米掺杂陶瓷的平均晶粒尺寸和四方率与BaTiO_3粒度几乎成正比．随着BaTiO_3粒度的减小,立方晶粒壳增大而四方晶粒芯减小,陶瓷由四方晶相向赝立方晶相转变,居里峰被显著压制,从而改善介电温度特性．同时,晶粒的壳与芯之间失配产生的内应力随之增加,使居里点向高温方向移动．

锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状

介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。

BaTiO_3陶瓷中Nb_2O_5-Zn_(0.8)Mg_(0.2)TiO_3的掺杂效应

研究了BaTiO3-Nb2O5-Zn0.8Mg0.2TiO3系统的介电性能及微观性能。SEM和XRD分析发现,在掺杂x(Nb)=1%的BaTiO3陶瓷中,Zn0.8Mg0.2TiO3的固溶度小于4%。Nb2O5和Zn0.8Mg0.2TiO3用量均为1%时,BaTiO3陶瓷为赝立方相结构,当x(Nb)>2%时,陶瓷样品(002)和(200)衍射峰相互分开,研究表明,BaTiO3陶瓷为四方相,且随着Nb用量增加,四方率增强。此外,Nb用量增加还使BaTiO3陶瓷室温介电常数降低,而同时居里点升高。当x(Nb)=2%和x(ZMT)=1%时,在空气中于1 180℃下烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标为:298 K时介电常数2ε98 K=2 004,介电损耗tanδ=0.84%,密度ρ=1.4×1012Ω.cm,-55^+150℃,电容量温度变化率△C/C≤±15%。