PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究

本文研究了准同型相界处铌镁酸铅－钛酸铅（ＰＭＮＴ）陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使ＰＭＮＴ陶瓷材料具有较好的压电性能，ｄ３３达５４０ｐＣ／Ｎ，ｋｔ达０．５０以上．观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大，亦可造成晶粒快速生长．对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论．

锆钛酸铅95/5纳米粉体Sol-Gel法制备与改进

以醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯为原料,改进溶胶-凝胶法,制备得到锆钛酸铅95/5纳米粉体.改进溶胶-凝胶法省去溶胶加水、凝胶干燥、干凝胶研磨等步骤,采用加热蒸馏溶胶制备凝胶,蒸馏回收溶剂并干燥凝胶,凝胶分段加热处理等方法,简化了加工工艺,大大缩短了合成周期,降低了成本.XRD和TEM分析表明,用改进sol-gel法制备得到的PZT粉体煅烧温度低、晶粒细小、均匀,直径约10nm.

红外焦平面列阵热成像用陶瓷热释电材料的研制

报道了在ＰＺＮＦＴＳⅠ型材料研究工作基础上提出的小面积探测器对材料选择的原则，通过进一步的添加改性制备ＰｚＮＦＴＳⅡ型材料，使得用ＰＺＮＦＴＳⅡ型材料制作的小面积探测器的性能进一步提高，其达到的数值说明这种材料基本上可以满足实用红外焦平面列阵对材料性能的要求。

高性能PZNFTSI陶瓷热释电材料与小面积红外探测器的研制

本文探讨了小面积红外热释电探测器的探测率与热释电材料性能参数之间的关系,制备了热释电系数高达5.1×10^(-4)C.m^(-2)℃^(-1)的 PZNFTSI 型陶瓷热释电材料,并用其制作了一系列φ0.3mm 的小面积探测器,性能最高达5.9x10^8cm Hz^(1/2)W^(-1),远远超过同样尺寸的 LiTaO_3晶体探测器.探测率 D~*的测量结果与理论预测值符合得较好,克服了晶体热释电材料在小面积应用时的局限,为进一步开发红外焦平面列阵热像仪用的热释电材料提供了依据.

流延热释电厚膜陶瓷制备单元红外探测器

本文报道采用流延法制备的热释电厚膜陶瓷材料直接装配的单元红外探测器，该方法大大简化了目前探测器的制备工艺，极大地提高了材料的利用率，器件的性能也达到了目前探测器的水平。

PZT95/5铁电陶瓷的掺杂改性研究

采用固相烧结法制备锆钛酸铅95/5(PZT95/5)材料,以“相同化合价,不同原子半径;相近原子半径,不同化合价”的原则,选择了碱金属族、碱土金属族元素的碳酸盐以及Fe2O3、SiO2、Nb2O5、WO3等作为掺杂物分别对其进行掺杂改性.研究了掺杂对材料介电性能、极化性能和低温-高温铁电相的相变温度的影响.发现受主掺杂使得材料的介电常数降低,施主掺杂使得材料的介电常数提高;剩余极化随着掺杂离子的化合价增大而增大;制备得到了低温-高温铁电相相变在15℃的铁电材料,在实际应用上有重要意义.

9Al_2O_3·2B_2O_3晶须补强PZT95/5型铁电相变陶瓷材料的研究

本文采用9Al2O3·2B2O3晶须补强了PZT95／5型铁电相变陶瓷材料，研究了晶须添加量与材料的电性能和力学性能之间的关系，实验结果表明：（1）复合材料的最佳烧结温度随着添加含量的增加而降低．（2）适量的晶须添加对材料的特殊电性能无明显影响，而材料的力学性能有较明显的改善，例如含0．3wt％晶须的材料，其抗折强度比基料提高了42．24％．（3）品须的拔出。

用超声方法研究PSZT铁电陶瓷在高压下的相变

用超声脉冲回波重合方法研究了具有垂直铁电(F),反铁电(AF)相界的PSZT三元系材料在高压下的相变。发现此种材料在较低压力下都有一级相变发生,井且是可逆相变。伴随着相变的发生,声速和声衰减都有较大的变化。本文对实验结果进行了初步的讨论。

改性PZT95/5材料的介电性能研究

根据同化合价,不同离子半径;相近离子半径,不同化合价的原则选择氧化物对PZT95/5(PbZr0.95Ti0.05O3)进行分别掺杂,研究了碱金属族、碱土金属族氧化物,及Fe、Si、Nb、W等的氧化物掺杂对PZT95/5材料的介电常数、介电损耗的影响。研究发现一价、二价金属离子的掺杂除Mg外都使得材料的介电常数、介质损耗有不同程度的下降,一价掺杂使得介电常数随掺杂物离子半径增大而减小,二价掺杂随离子半径的增大使得介电常数有增大的趋势。高价金属离子如Fe3+、Si4+、Nb5+等的掺杂使得材料具有比一价、二价掺杂更高的介电常数和损耗。