掺Perylene的PVK薄膜荧光谱及发光机理

用高荧光效率的有机染料芘 (perylene)掺杂聚乙烯咔唑 (PVK) ,其荧光光谱与芘的发射光谱基本一致 ,而且亮度比纯芘发光提高十多倍 ,说明发光主要来自芘分子 ,并在PVK和 perylene之间存在十分有效的能量传递或电荷转移过程 ,荧光谱强度随掺杂浓度的变化关系说明存在一个最佳的掺杂浓度比。分析PVK和 perylene之间可能发生的能量转移过程 ,认为从PVK到 perylene这种能量转移与实验不符 ;分析PVK和perylene薄膜的光致发光过程 ,认为从 (PVK+ )→ (perylene+ )和从 (PVK-)→ (perylene-)之间的电荷转移也是不可能发生的。但根据 perylene分子的激发和辐射过程可较好地解释掺 perylene的PVK薄膜荧光谱的变化。

输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触栽流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型.模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的.研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响.结果表明:空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流.

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.

单层有机发光二极管中电场与载流子密度的分布

建立了单层 (有机发光二极管 )中载流子注入、输运和复合的理论模型 ,通过求解非线性Painleve方程得到了电场强度随坐标变化的解析函数关系式 ,计算并讨论了载流子迁移率对电场强度、载流子密度等的影响。结果表明 :空间电荷分布不均匀造成了电场强度的不均匀分布。当在器件中占主导地位的载流子具有较低的迁移率或少数载流子具有较高的迁移率时 ,有利于载流子的输运与复合 ,发光性能可得到较大提高。

电致发光有机薄膜中空间电荷对载流子密度的影响

通过对有机半导体发光器件（ＩＴＯ／ＰＰＶ／ＡＬ）中载流子传输特性的研究，分析了空间电荷对器件中 电流的影响，对电流密度Ｊ与薄膜厚度ｄ的关系进行了分析，并讨论了获得较高的电致发光效率所用的薄膜的 厚度变化范围和掺杂的影响。

空穴传输层厚度对双层有机发光二极管性能的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。基于ITO|PEDOT/PSS作为空穴注入电极的双层有机发光器件ITO|PEDOT/PSS|TAPB|Alq3|Mg :Ag|,采用较合理的无序跳跃模型来处理界面问题 ,数值计算并讨论了空穴传输层厚度的变化对器件性能的影响。结果表明 :器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布 ,从而影响载流子的注入。

5,6,11,12-四苯基四苯并掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的荧光谱及发光机理

用高荧光染料的 5 ,6 ,11,12 四苯基四苯并对 8 羟基喹啉铝进行掺杂 ,测量其光致发光和电致发光谱。结果表明 :在低掺杂时 ,主发光体是Alq ,掺入的Rubrene作为客发光体只是在Alq带隙中引入了分立能级 ;随着掺入的Rubrene浓度增加 ,Rubrene成了主发光体 ,Alq变成了客发光体 ,出现了发光体的互换现象。由于Rubrene的吸收光谱与Alq的发射谱重叠较大 ,在光致发光中存在从Alq向Rubrene的能量传递和电荷转移过程 ,而电致发光则是由于Rubrene导带 (LUMO)比Alq导带 (LUMO)低很多 ,且它们价带 (HOMO)基本相同 ,使得从负电极注入到Rubrene导带中电子浓度远大于注入到Alq导带中电子浓度 ,造成Rubrene导带电子与价带空穴复合的几率比Alq中的复合几率大得多 。

钝化多孔硅的光致发光

选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示

掺杂PPQ薄膜的电致发光及电场调制

从掺杂PPQ薄膜单层器件的电致发光光谱在掺杂前后的变化 ,说明掺杂PPQ薄膜中存在着基质分子和掺杂分子间的能量传递 ,其电致发光光谱随外加电场变化说明电场对PPQ薄膜的电致发光具有调制作用。用一个由单链模型扩展到包括杂质和外场的Hamiltonian进行数值求解。结果表明 :在PPQ和TPL分子之间有效的能量传递是源于它们之间的电荷转移 ,且随着外加电压的变化 ,其电致发光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及发光强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。这一模型很好地解释了电场对PPQ薄膜电致发光的调制作用。

温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响

提出了双层有机电致发光二极管ITO PPV PBD Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响 :在电压为 6～ 7 5V时 ,复合效率随温度变化出现两个峰值 ,但随着电压升高 ,两峰值相互靠拢 ,当电压达到 9V时 ,峰值位置重叠 ,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外 ,还由于复合区域发生变化引起的。

输运层厚度对双层有机器件复合发光的影响

采用ITO/PVK/Alq/Al双层电致发光 (EL)结构 ,制备了三种载流子输运层厚度分别为30、6 0、12 0nm ,发光层厚度均为 30 0nm的有机薄膜EL器件 ,测试其EL谱及J -V特性曲线。根据有机EL器件中载流子的产生和输运过程导出了载流子复合几率及电子和空穴密度分布表示式 ,用以解释其发光强度随输运层厚度的变化关系 ,用一维无序结构载流子随机跃迁模型讨论输运层厚度对器件电流密度及启动电压的影响 ,探讨了载流子在薄膜中的输运过程 。

多孔硅表面钝化对其发光性能的影响

报道多孔硅（ＰＳ）的表面钝化对其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的影响。ＰＬ和ＥＬ谱表明，经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ强度明显增强，且发光峰位较大蓝移；存放实验表明，经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ发光强度和发光峰位具有较好的稳定性；Ｉ～Ｖ曲线显示，经钝化处理的ＰＳ发光器件具有较低的启动电压。这些结果表明：用钝化处理的方法是提高 ＰＳ的 ＰＬ和 ＥＬ强度和稳定性及改善其器件性能的有效途径。

聚合物电致发光二极管发光层中的电场分布

以单层聚对苯乙炔 (PPV)薄膜发光二极管为例 ,研究其薄膜中的电场分布 ,探讨其电场分布对载流子注入、输运和复合的影响。研究结果有助于揭示其发光机理 ,为提高发光效率提供了有益的启示。

输运层势垒对双层结构器件复合发光的影响

通过分析双层结构器件复合发光的实际物理过程 ,建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,计算并讨论了器件复合效率随外加电压及输运层势垒 (包括势垒高度和宽度 )的变化关系。该理论模型较好地解释实验现象。

聚合物发光二极管的研究进展

对共轭聚合物中进行电荷运输及电致发光器件

硅基材料的发光特性及机理

硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅、掺铒硅、钠米硅等几种主要硅基材料的发光特性及发光机理。

高场下界面势垒对单层有机EL器件复合发光的影响

在Fowler Nordheim的隧穿理论基础上 ,建立了高场下单层有机EL器件复合发光的理论模型 ,讨论了电场强度以及界面势垒对单层有机EL器件发光的影响 .

含共轭三键的聚合物的掺杂机理和导电特性的研究

以聚丁 (对甲苯硫酸 ) - 2 ,4-已炔 - 1 ,6-二醇酯 [poly( bis( p-toluene sulphonate) ester of2 ,4- hexadiyne- 1 ,6- diol) ]( PDA- TS)为例 ,探讨了含共轭三键的聚合物的掺杂和导电特性的研究 ,对其微观掺杂机制 ,在比较现有的掺杂模型的基础上 。

有机电致发光器件的效率及寿命

有机电致发光器件的效率取决于电子和空穴的有效注入和复合.电极材料和有机材料的稳定性以及电极/有机层之间的界面处的相互作用是制约有机电致发光器件寿命的主要因素.

输运层对双层器件电致发光效率的影响

建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型 ,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理 ,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响 .结果表明 :双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层 (输运层 )中的复合发光 ,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大 ,且阴极区 (阳极区 )的势垒宽度双势垒高度对其影响更大 ;