退火温度对键合金带微观组织与综合性能的影响

采用聚焦离子束(FIB)、扫描电镜(SEM)、力学和电学性能试验设备等测试手段,研究了不同退火温度对金带组织结构、力学性能和电学性能的影响。结果表明:金带加工态组织由沿轧向伸长的{001}~{110}<111>取向变形晶粒组成,300℃退火时,金带发生再结晶,形成{001}~{110}<001>再结晶晶粒。温度升至500℃时,再结晶完成,晶粒以Cube取向({100}<001>)为主导。随退火温度增加,金带的抗拉强度减小,伸长率和导电率增加。退火温度超过200℃后,金带抗拉强度显著减小,而温度超过400℃后,伸长率显著增加。金带的导电率在250℃和400℃出现两次明显增加,归因于金带发生了明显回复和再结晶,点缺陷和位错大幅度减少,导致导电率显著增加。