半导体GaN三阶非线性光学性质研究

用双4f相位成像技术,对半导体GaN多晶在600nm,皮秒时域的三阶非线性光学性质进行了实验测量。根据相关理论,通过数值模拟确定了GaN在相关条件下的三阶非线性光学参数。实验测量得到的双光子吸收系数b=9.54 10-11(m/W),三阶非线性折射率n2=-1.33 10-17(m2/W),该结果表明GaN是一种性能优异的非线性光学材料。

双臂相位Z扫描测量稀溶液中溶质光学非线性

基于相位Z扫描技术提出了双臂相位Z扫描技术,在相位Z扫描技术的光路中并联一个相同的光路。与传统的Z扫描技术相比,相位Z扫描可区分溶液的三阶非线性折射和瞬态热致非线性,且可实现单脉冲测量,系统灵敏度也要比Z扫描技术高。以往的方法都不能很好地测量稀溶剂中纯溶质的光学非线性,采用双臂相位Z扫描技术可极大提高系统测量信噪比,从而可准确地测量出稀溶剂中纯溶质的光学非线性。