碳源对AlON粉体合成及其透明陶瓷制备的影响

以纳米炭黑、微米碳粉为碳源,采用碳热还原法合成AlON粉体和无压烧结制备AlON透明陶瓷。利用X射线衍射仪、扫描电镜、颗粒度分析仪和分光光度计等研究碳源对粉体及陶瓷制备的影响。结果表明：碳源尺寸及形貌与AlON粉体的合成温度、粉体形貌及颗粒大小密切相关;采用纳米炭黑降低了AlON粉体的合成温度,在1730℃合成了单相粉体;采用微米碳粉在1750℃煅烧2h条件下制备了高纯度的AlON粉体,从而制备了高透光率的AlON陶瓷,该样品（1mm厚）在1000~5000nm波长范围内的直线透过率在80%左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7%,其平均晶粒尺寸为110~120μm。

多孔氮化硅陶瓷天线罩材料制备及性能研究

针对新型导弹对配套天线罩材料性能要求,以纤维状氮化硅粉为主要原料,采用冷等静压工艺成型和气氛保护无压烧结工艺进行烧结,制备多孔氮化硅陶瓷材料。研究了原料和烧结助剂颗粒度、煅烧温度等工艺参数对材料性能的影响。选用合适的原料颗粒度和成型烧结工艺参数,成功制备了弯曲强度为154.53 MPa、密度为1.54 g/cm^(3)、气孔率为52.0%、介电常数3.28的多孔氮化硅陶瓷,可满足高性能导弹天线罩使用要求,并可实现根据使用要求对材料性能的可调控设计。

碳热还原氮化法合成AlON粉体的表征及透明陶瓷的制备

以γ-Al_2O_3和炭黑为原料,通过碳热还原氮化法合成AlON粉体,经球磨后得到了亚微米级AlON粉体,无压烧结制备了透明AlON陶瓷,利用SEM、XRD、FTIR、电子能量损失谱(EELS)和氧氮分析仪对粉体进行了分析表征。结果表明:合成的AlON粉体经1 h球磨后得到了平均粒度为0.65μm,比表面积为12.6 m^2/g的AlON粉体,粉体中Al含量与Al_5O_6N相的接近,氧含量稍微偏高,氮含量偏低。该粉体添加0.08wt%Y_2O_3+0.02wt%La_2O_3为烧结助剂,在1875℃无压烧结24 h制备了光学直线透过率为71.5%@900 nm的透明AlON陶瓷(1 mm厚)。

无压烧结制备AlON透明陶瓷的性能表征

以纳米氧化铝粉和微米C粉为原料,通过碳热还原法合成Al ON粉体,经无压烧结制备了Al ON透明陶瓷,并对其微观组织、力学、热学和光学等性能进行了表征。结果表明：1875℃×24 h条件下无压烧结制备了平均晶粒尺寸为110~120μm的Al ON透明陶瓷,其室温抗弯强度为（275±25）MPa,室温比热容和导热系数分别为0.781 J/（g·K）和12.3 W/（m·K）,该样品（1 mm厚）在1000~5000 nm波长范围内的直线透过率在80%左右,在3.93μm波长处光学透过率最高可达83.7%。

AlON透明陶瓷研究进展

透明氮氧化铝(Al ON)陶瓷具有优异的光学、力学、热学综合性能,在国防和商业众多领域内具有广阔的应用前景。本文对Al ON陶瓷的性能、合成方法和制备工艺、应用等方面的研究进展进行了综述,并对其未来的研究发展方向进行了展望。

轻质金属与树脂基复合材料胶接表面改性研究综述

轻质金属和树脂基复合材料性能各异,且差别很大,将其连接在一起可以充分发挥两种材料的优良性能,有着更高的损伤容限和疲劳极限。胶接作为一种低损伤的连接工艺,目前已经广泛应用于异种材料的连接,而胶接表面状况对胶接强度有着重要的影响。作者对轻质金属以及树脂基复合材料粘接前表面处理工艺技术进行了阐述,同时,对工艺过程的影响因素进行了分析,最后对未来表面改性技术的改进进行了展望。