研究了小尺寸液晶显示器件ODF(One Drop Filling)工艺中液晶滴下量对漏液晶和低温气泡的影响,确定了液晶滴下量的安全范围。开发了液晶滴下设备与PS高度检测设备联动的新型液晶滴下方法,有效地解决了PS产品在ODF工艺中发生漏液晶和低温...研究了小尺寸液晶显示器件ODF(One Drop Filling)工艺中液晶滴下量对漏液晶和低温气泡的影响,确定了液晶滴下量的安全范围。开发了液晶滴下设备与PS高度检测设备联动的新型液晶滴下方法,有效地解决了PS产品在ODF工艺中发生漏液晶和低温气泡的问题。展开更多
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在显示白画面的时候,屏幕边缘有发青的现象,这种不良现象严重影响人们的观赏感受,需要将这种不良进行改善。经过分析得知,TFT(Thin Film Transistor)基板的层间介质层(interlayer ...TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在显示白画面的时候,屏幕边缘有发青的现象,这种不良现象严重影响人们的观赏感受,需要将这种不良进行改善。经过分析得知,TFT(Thin Film Transistor)基板的层间介质层(interlayer dielectrics,ILD)的氢化氮化硅(SiN_X:H)薄膜厚度偏薄,致使TFT基板的蓝光透过率偏大,从而导致TFT-LCD在显示白画面时,白光中蓝色光的比例偏大,最终出现发青现象。通过增加SiN_X:H薄膜的沉积厚度及减少SD(Source and Drain)干法刻蚀时间,使无SD覆盖的ILD膜层的SiN_X:H薄膜厚度增加,减小了TFT基板的蓝光透过率,最终TFT-LCD的白画面颜色均匀,无发青现象。展开更多
文摘TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)在显示白画面的时候,屏幕边缘有发青的现象,这种不良现象严重影响人们的观赏感受,需要将这种不良进行改善。经过分析得知,TFT(Thin Film Transistor)基板的层间介质层(interlayer dielectrics,ILD)的氢化氮化硅(SiN_X:H)薄膜厚度偏薄,致使TFT基板的蓝光透过率偏大,从而导致TFT-LCD在显示白画面时,白光中蓝色光的比例偏大,最终出现发青现象。通过增加SiN_X:H薄膜的沉积厚度及减少SD(Source and Drain)干法刻蚀时间,使无SD覆盖的ILD膜层的SiN_X:H薄膜厚度增加,减小了TFT基板的蓝光透过率,最终TFT-LCD的白画面颜色均匀,无发青现象。