一个检测半导体激光器质量的有效方法

对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．

半导体激光器的可靠性

本文总结了关于半导体激光器可靠性研究的主要结果,讨论了主要退化模式,对实现高可靠性器件需要把握的主要因素进行了阐述。

半导体激光器退化及其筛选

文章概述了半导体激光器失效因素 ,退化行为及改进可靠性的措施 ,特别就可靠性筛选问题进行了讨论 ,指出用电导数参数对半导体激光器进行可靠性筛选和评估是一个行之有效的办法。

GaAs/GaAlAs半导体激光器后腔面蒸镀ZrO_2/SiO_2多层涂层

半导体激光器和光发射二极管是光纤通讯、光信息处理、光计算、光存贮等的重要元件,是集成光电子学、集成光学中不可缺少的重要单元。提高它们的量子效率、输出功率、可靠性、延长使用寿命等一直是人们所关注的问题。腔面涂层就是一个非常有效的途径。目前,这方面的研究很活跃,有很多报道。

半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.

组合光双稳半导体激光器的光逻辑门

用半导体激光器和光晶体管组成了组合光双稳激光器,以不同的电路结构实现了与、或、非、与非、或非光逻辑门.特别是利用光可并行输入输出特性实现了光异或门.

半导体光电子学的进展

综述了第八届集成光学和光纤通信国际会议(IOOC’91)与第十七届欧洲通信会议(ECOC＇91)上报道的有关半导体光电子学进展情况。

用电导数技术筛选可见光半导体激光器

对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。

有机EL器件的研究及产品开发现状

介绍了有机EL器件的结构、工作原理及特点,概述了有机EL器件的研究现状及产品开发现状,对器件今后的发展做了展望。

微腔有机发光二极管

设计了由分布布拉格反射镜 (DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用 8-羟基喹啉铝 (Alq3)作为电子传输层兼作发光层 ,TPD作为空穴传导层 ,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管 (MOLED)。发现MOLED的光谱半宽比OLED的窄得多 ,而光密度则得到了增强。对腔长进行调节 ,MOLED光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。

并五苯晶体薄膜的生长

用物理气相沉积法在水平系统中生长有机半导体并五苯晶体薄膜 .用 1 0～ 3 0 mg的源生长出 2 0～ 3 0 mm2 大小的适合特性测量和器件制备的晶体薄膜 .利用 TEM,SEM和

波长(频率)可调谐半导体激光器

波长或频率可调谐的半导体激光器在光通信等实际应用领域中有着重要而广泛的应用。文章立足于实际应用，从谐振腔的结构出发，以调谐机理为研究对象，对可调谐半导体激光器进行了分类研究。

并五苯场效应发光管机理分析与场效应管制作

采用并五苯材料,通过物理气相沉积,生长出无依托的晶体薄膜,厚度在微米量级,长度是毫米量级,长度和厚度的比大约为1000。为了使晶片有个依托,以聚酰亚胺作为粘合剂,把并五苯晶体薄膜平铺粘在玻璃衬底上。在显微镜下观测,有机薄膜平整、无裂痕,符合制备器件的要求。然后,制备出有机场效应管。并对有机场效应管I V特性和发光机理进行了分析探讨。

高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性

用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性。结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某范围之内。对取值范围进行了讨论。

SiO高效减反射膜的蒸镀和监控

报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。

1．3μmInGaAsP／InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验

本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。

808nm大功率半导体激光器的低频电噪声

对 8 0 8 nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试 ,给出器件电噪声与频率、注入电流之间关系 ,讨论噪声与电、光导数之间的关系 .结果表明 ,80 8nm大功率半导体激光器的电噪声在低频段主要为 1 /f噪声 。

有机薄膜FET的研究进展

介绍了有机薄膜FET的结构、工作原理,综述了目前的研究进展,分析了存在的问题,并对有机薄膜FET的应用前景进行了展望。

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。

GaAlAs超发光二极管

本文报导在 GaAlAs 双异质结激光器腔面上,蒸镀 ZrO_2减反射涂层,制成了 GaAlAs 超发光二极管。室温连续输出最大功率为9.1mW,光谱带宽为155 。