CdTe单晶的红外消光特性

本文模拟计算了ＣｄＴｅ 中Ｔｅ 沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系，根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ 的吸收和Ｔｅ 沉淀相的散射吸收消光作用．结合光致发光和电学特性的研究，讨论了Ｃｄ 气氛中的退火对ＣｄＴｅ 晶体的红外消光特性的影响．

用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶

以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用电子回旋共振，光致发光等方法的测试结果表明，所获得的高品位ＣｄＴｅ单晶的中性施主杂质浓度仅为５×１４１４ｃｍ － ３，４．２Ｋ 下电子回旋迁移率高达２．５×１０５ｃｍ ２／（Ｖ·ｓ）．

CdTe单晶中主要中性受主束缚激子起因的研究

本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明，该发光峰实际上是由能量极其相近的两个发光峰构成．它们具有两个起因，其中能量较低的一个是ＣｕＣｄ，另一个与Ｃｄ空位ＶＣｄ有关．