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硅双层特高阻厚层的完美外延
1
作者
石志曾
《半导体情报》
1990年第2期89-91,98,共4页
采用四氯化硅氢还原法在钟罩立式高频加热外延炉内掺杂锑的硅衬底上制备了特高阻双层结构(n_2^-/n_1^-/n^+)外延片,n_2^-层电阻率~150Ω·cm,n_1^-层电阻率~50Ω·cm,外延层总厚度达60μm时仍不产生冠状边沿,结晶完美。用于制...
采用四氯化硅氢还原法在钟罩立式高频加热外延炉内掺杂锑的硅衬底上制备了特高阻双层结构(n_2^-/n_1^-/n^+)外延片,n_2^-层电阻率~150Ω·cm,n_1^-层电阻率~50Ω·cm,外延层总厚度达60μm时仍不产生冠状边沿,结晶完美。用于制作BSIT,得到非常满意的结果。
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关键词
硅
双层
高阻
厚层
外延
BSIT
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职称材料
题名
硅双层特高阻厚层的完美外延
1
作者
石志曾
出处
《半导体情报》
1990年第2期89-91,98,共4页
文摘
采用四氯化硅氢还原法在钟罩立式高频加热外延炉内掺杂锑的硅衬底上制备了特高阻双层结构(n_2^-/n_1^-/n^+)外延片,n_2^-层电阻率~150Ω·cm,n_1^-层电阻率~50Ω·cm,外延层总厚度达60μm时仍不产生冠状边沿,结晶完美。用于制作BSIT,得到非常满意的结果。
关键词
硅
双层
高阻
厚层
外延
BSIT
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
硅双层特高阻厚层的完美外延
石志曾
《半导体情报》
1990
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