级联PA的效率优化策略及其在55nm CMOS E波段PA中的应用

根据多级功率合成功率放大器(PA)的功率附加效率(PAE)公式,对效率进行理论计算分析,得出了以下效率优化策略:在级联功率合成功放的最后一级放置功率分配器可以提供最优的整体PAE,优化最后一级有源或无源器件对整体PAE的改善最为显著。根据上述策略,从有源器件效率、增益效率比和无源器件插入损耗这三个参数出发,对PA的最后一级做了具体优化。采用55 nm CMOS工艺设计了一款E波段PA,实现了24%的峰值PAE,26 dB的峰值增益,7.2 GHz的3 dB带宽,14.1 dBm的饱和输出功率和11.3 dBm的1 dB压缩点输出功率。

WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计

介绍了一个基于IBM0.18μmCMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA)。通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5GHz低噪声放大器进行设计和优化。测试结果表明,当电源电压为1.8V时,消耗电流为6.5mA,增益达到10dB,输入匹配达到-18dB,噪声为4.29dB,线性度IIP3为4dBm。

集成电路芯片在新兴应用领域的发展趋势分析

从六个方面入手,分析了集成电路芯片在新兴应用领域的发展趋势。从2010年开始,在硅麦克风、惯性传感器等的带动下,MEMS市场开始进入快速成长期。从下游应用来看,目前汽车电子和消费电子是最主要的应用领域。IDC预测,可穿戴设备在2015~2020年出现两位数的增长。物联网作为通信行业的新兴应用,在万物互联的大趋势下,市场规模将进一步扩大。工业机器人产业加速发展,已成为十分可期的爆发式增长战略性新兴产业。近年来,国内外对虚拟现实的投资非常火热。资本市场敏锐地捕捉到人工智能的商业化前景,我国人工智能领域投融资热度快速升温。

单片BiCMOS超高频接收机中锁相环的设计(英文)

集成电荷泵锁相环的接收芯片工作在ISM频段:290～470MHz,采用AMS 0.8μm BiCMOS工艺,npn管的特征频率为12 GHz,横向pnp的特征频率为650 MHz.锁相环中鉴频鉴相器和电荷泵的设计方案基本消除了死区.压控振荡器采用LC负阻结构,中心振荡频率为433 MHz,调谐范围为290～520MHz,频偏为100 kHz时的相位噪声约为-98 dBC/Hz.分频器采用堆叠式结构以降低功耗,PLL在5 V的工作电压下功耗仅为1.4 mA.

浅析我国集成电路产业在全球市场的地位

近10多年来,随着半导体产业同时迈入后摩尔时代和后PC时代,全球半导体市场增速明显放缓。在全球,集成电路产业已经进入深度调整与转折期,大规模的并购案不断发生,强强联合成为新常态。在中国,国家发展规划为我国产业发展提供了前所未有的机遇。在集成电路行业,转型升级步伐不断加快,企业研发创新能力正在提升。

汽车电子芯片的市场规模与发展趋势

全球汽车电子市场显示,汽车产业对半导体芯片的需求成长率高于其他应用领域。在联网、娱乐、节能及安全等四大发展趋势的驱动下,汽车电子化程度将愈来愈高。中国汽车电子市场增长率持续扩大,但是国外厂商依然占据绝对主导地位。随着新能源汽车的兴起,汽车业对车用半导体器件的需求日旺。

智能处理器芯片的市场发展趋势分析

全球智能手机、平板电脑的智能处理器芯片继续迅速发展,计算机和处理器芯片呈现加速整合趋势。苹果i Phone占据智能手机市场总营业利润榜首,整合基带的应用处理器占平板电脑应用处理器总出货量的主要份额,高通、联发科和展讯芯片占全部整合基带的平板电脑应用处理器出货量的80%^([1])。近年来,微控制器(MCU)在个人消费电子和生产设备中应用正在扩大。

全球集成电路的市场状况概述

近两年,全球集成电路市场高速发展,创下近7年以来的新高。分析表明,进入2018年,由于对世界集成电路市场持续快速发展的形势普遍看好,WSTS、Gartner及IC Insights等分析机构都不约而同地调高了对世界集成电路市场的增长预期。随着数据中心、人工智能(AI)、物联网等领域的快速发展,对集成电路的需求也急剧增加,出现了供不应求的现象。

智能卡、大数据与信息安全芯片的市场规模与发展趋势

全球集成电路产业的市场增速明显放缓。随着我国经济的快速发展,中国市场的集成电路需求还在增加。银行业、电子政务和医疗保健的发展促进智能卡的需求增加。国家加大对数据中心等基础设施的建设,未来大数据、云计算以及信息安全芯片将成为我国集成电路产业的新增长点。

2016年半导体存储芯片的市场发展趋势分析

对近年来全球半导体存储器和智能卡市场进行了分析。随着全球EMV迁移的加速推进,金融IC卡需求将持续增长。随着金融IC卡多应用的受理环境已基本形成,以及消费者安全意识的提升,金融IC卡已成为当前银行卡消费市场的主流产品。

LVS版图验证方法的研究

LVS是ICLayout设计中一个重要的验证环节 ,结合实例分析 。

UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计

提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。

UHF RFID接收机中混频器的IP2/IP3性能改进

根据UHF射频识别的应用、结合提出的接收前端结构,对所需的射频前端中混频器线性度要求做出分析,给出了决定IP2、IP3值的因素。在不影响系统噪声性能的条件下,提出了基于共模信号反馈、复用补偿电流路径的IP2改进办法;源极负反馈,低输出阻抗的IP3改进办法。混频器采用UMC0.18μm RF CMOS工艺实现,在3.3 V供电、抽取8.7 mA电流条件下,采用带外线性度的测试办法,测得23个样品的IP3平均值为15 dBm;采用FIB断开校正电路的试验表明,混频器的IP2有明显的提升(从37 dBm到52 dBm)。

新型显示与半导体照明芯片的市场发展趋势分析

在显示技术方面,OLED(有机发光二极管)与LCD相比,具有优异的色彩饱和度、对比度、反应速度以及可透明和可柔性显示等特点,被公认为新一代显示技术。整体来看,我国OLED产业处在一个快速发展阶段。我国半导体照明技术水平快速提升,与国际先进水平的差距进一步缩小。

一种低噪声高线性度射频前端电路设计

介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。

一种可重构的24bitΣ-Δ调制器的设计

给出了一种仅用加法器和移位器实现的、适用于嵌入式FPGA应用的,可重构的Σ-Δ调制器设计。它能够被设置为3阶或5阶,并可支持不同字长(16-/18-/20-/24-bit)的PCM数据输入。过采样率为128时,经仿真验证在3阶和5阶的情况下最大信噪比分别可以达到110dB和150dB,精度为18bit和24bit,可以应用于CD,SACD和DVD等不同格式的音频解调中。

北斗导航与汽车电子芯片的市场发展趋势分析

我国已形成包括基础产品、应用终端、运行服务等在内的较为完整的北斗产业体系。北斗基础产品实现了自主可控,质量和数量齐升,北斗芯片跨入40 nm制程时代,实现了基础产品向高端产业的跃升升级。随着互联网技术的进步,汽车芯片领域也迎来了变革期,出现了以特斯拉为代表的高度电子化产品和以谷歌无人驾驶汽车为代表的智能化产品。虽然目前核心技术主要掌握在欧、美、日等国家,发展中国家能参与的技术很少,但新能源汽车和智能汽车的发展有望给这些国家包括中国带来追赶机会。

智能手机与计算机芯片的市场规模与发展趋势分析

2015年全球智能手机市场出货量创下历史新高,共计14.329亿部。中国智能手机出货量达4.341亿部,同比增长2.5%。平板电脑市场已经相对成熟饱和,同时厂商之间的竞争越来越激烈,产品的同质化现象较为严重。2015年全球PC出货量为2.887亿台,同比萎缩8%。存储器市场高度垄断,我国大陆的存储器产业一片空白。我国MCU市场增长速度国际领先。

2016年全球与中国半导体市场分析

全球半导体市场在经过2015年与2016年连续两年徘徊之后,2016年走出阴影,止跌回升。与此同时,中国集成电路产业在《国家集成电路产业发展推进纲要》的指引和国家集成电路产业投资基金的支持下,持续快速挺进,在全球引起较大的反响。通过分析全球半导体市场和我国集成电路市场总体趋势,展示中国半导体业崛起不可逆转。

零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计(英文)

介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm.