用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 .

发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响

在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长．通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察，研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程．实验结果表明，不同的衬底材料淀积效果不同，钼的淀积效果较好，硅的较差．此外。

HBT结构的新进展

介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和 以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。

新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

利用电子运动速度过冲现象 ,设计出了一种新结构复合收集区 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 .这种结构不仅提高了器件的截止频率 ,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压 .所制备器件的截止频率达到 77GHz,直流电流增益高达 10 0 ,补偿电压低至 70 m V .同时 ,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较 ,充分显示了这种结构的优越性 .

用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能

在传统光调制器驱动电路中 ,所用 HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的 4倍以上 .文中在输出级采用共射共基 HBT形式后 ,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的 2倍即可 ,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求 .文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果 .同时新的电路结构也具有良好的热稳定性 .

100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺

对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题 。

数字视频信号处理的一种新算法

利用视频信号矩阵变换算法进行 D/A信号转换 ,采用乘法器确定精度 ,从而得到矩阵变换电路运算精度与占用资源间的关系 .

课堂讨论是培养本科人才创新能力的有效方法

为了培养微电子学本科创新人才，我们在“微电子器件原理”课堂教学过程中通过基础教学内容与现代前沿研究成果相结合，师生互动训练学生的参与交流意识和能力，让学生以研究式的眼光吸收知识等方法，激发学生的学习热情，培养学生的探索创新精神和意识。同时，为学生准备了内容可深可浅、每个学生均可参加、既与课堂内容相关又有拓展空间的讨论题目。在此基础上成功地开展了思考式的课堂讨论探索。

晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响

在对 In Ga P/ Ga As HBT特性的研究中发现 ,发射极长边与主对准边垂直 ([0 1 1 ]方向 )和平行 ([0 1 1 ]方向 )放置时 ,其直流电流增益和截止频率是不同的 .[0 1 1 ]方向的直流电流增益远远大于 [0 1 1 ]方向 ,而它的截止频率则略小于 [0 1 1 ]方向 .文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的 ,但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性 .

减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能

在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。

GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正

在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。

光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系

依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。

光学邻近效应的产生机理分析

基于部分相干成像理论 ,考虑了投影曝光系统成像的非线性滤波特点 ,分析了投影光刻中的光学邻近效应 (OPE)产生的机理 ,模拟了掩模上线条的线宽、线间距的变化对光刻成像质量的影响。

nToeplitz数字图像反降晰方法

通过分析图像降晰机制和反卷积图像恢复的原理,利用Toeplitz方法将卷积和反卷积过程转换为矩阵的运算和求逆的问题.首先,由一维反卷积过程中得到Toeplitz方法的机制,并将其拓宽至二维问题.然后,利用Toeplitz方法实现的图像降晰和反降晰的工作.理论分析和仿真结果表明了Toeplitz方法的正确性和恢复精度高.

在专业实验教学中实现“实验就是科研”的教学理念

21世纪是信息时代，微电子技术是21世纪信息时代的关键技术之一，也是现代一个国家综合实力的衡量标准。国家把微电子技术列为21世纪初重点发展的新技术，力争通过10年的时间，使我国成为世界上的微电子强国。我国急需大量合格的微电子学专门人才，微电子技术人才的培养已成为各高校电子信息人才培养的重点。另一方面，随着微电子国际大公司的进入和设计公司／代工厂产业模式的形成，我国原来的培养模式已不能满足需要。

适合电视台的非线性编辑系统

介绍一种适合电视台的非线性编辑系统设计方案 ,通过 A/D转换 ,使线性编辑系统转换成非线性编辑系统 ,进行各种编辑、剪接、配音和特技合成 ,再进行

自动化储粮测控系统的设计与实现

介绍了使用计算机和企业内部网自动化测试粮仓内各点的温度、湿度等的系统结构,设计思想和方法.

一种基于ARM和Linux的超高频读写器设计

射频识别技术(RFID)是最近几年来发展最快的非接触自动识别技术,无论在理论上,还是在实际应用都非常理想。尤其是超高频(UHF)RFID技术,它具有读取距离远、识别速度快、识别多标签能力强等优点,广泛应用于高速公路不停车收费、物流管理、肉食品安全方面的货源跟踪、门禁考勤管理、机密文件管理等领域。文章以嵌入式技术为研究背景,结合软硬件开发平台,给出了一种基于ARM和Linux的超高频读写器设计思路。