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Cu/Co阻挡层中复配缓蚀剂缓蚀机理与研究进展
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作者 罗博文 高宝红 +3 位作者 石越星 李雯浩宇 霍金向 贺斌 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期264-276,共13页
抛光液是化学机械抛光(CMP)的关键要素之一,其中缓蚀剂是抛光液的基本组分之一。传统的缓蚀剂缓蚀效果差,缓蚀效率低。而复配缓蚀剂因缓蚀效率高、缓蚀效果好和环境友好等优势成为CMP领域研究重点。根据文献,分析了唑类缓蚀剂对Cu/Co阻... 抛光液是化学机械抛光(CMP)的关键要素之一,其中缓蚀剂是抛光液的基本组分之一。传统的缓蚀剂缓蚀效果差,缓蚀效率低。而复配缓蚀剂因缓蚀效率高、缓蚀效果好和环境友好等优势成为CMP领域研究重点。根据文献,分析了唑类缓蚀剂对Cu/Co阻挡层的缓蚀机理,对近五年来新型复配缓蚀剂在国内外CMP过程中的研究进展以及复配缓蚀剂的实验评价和分子动力学模拟进行了归纳总结。同时评价了电化学法中EIS、OCP和Tafel极化曲线,表面分析法中SEM和AFM,分子动力学模拟中DFT和ReaxFF对缓蚀剂缓蚀效果的分析。最后,对于目前复配缓蚀剂的问题进行了总结与展望。 展开更多
关键词 复配缓蚀剂 缓蚀机理 化学机械抛光 唑类缓蚀剂 Cu/Co阻挡层
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