通辽部分地区鸭源大肠杆菌耐药性检测及多重耐药菌株YA-1全基因组测序分析

【目的】大肠杆菌作为家禽最常见细菌性病原之一,其耐药性的不断增强已引起广泛关注。试验旨在了解通辽地区部分鸭场大肠杆菌的耐药性及耐药基因分布,为该地区鸭源大肠杆菌耐药性及耐药基因的研究提供参考。【方法】经16S rRNA测序、生化试验和小鼠致病性试验对送检的通辽市各旗县15份病死鸭肠道样品进行病原菌分离纯化,对分离菌株进行药敏试验及耐药基因的PCR检测,并选取多重耐药菌株进行全基因组测序。【结果】所分离的10株鸭源大肠杆菌均具有不同程度耐药性,对链霉素、环丙沙星、恩诺沙星等药物的耐药率在80%及以上,耐药基因aphA1、strB和qnrS的检出率最高,达到100%。多重耐药菌株YA-1全基因组测序证实,该菌株染色体大小为4 844 827 bp,携带3个完整的质粒,大小分别为144 776 bp(pTLYA-1)、113 584 bp(pTLYA-2)和77 544 bp(pTLYA-3)。分离菌株携带arr-3、aadA16、sul1等70个耐药基因,其中pTLYA-1中携arr-3、dfrA27、aadA16等8个可移动耐药基因,pTLYA-3中携带floR、tetA、sul2等5个可移动耐药基因,pTLYA-2中未发现耐药基因。【结论】由通辽地区部分鸭场分离的鸭源大肠杆菌存在多重耐药性,耐药水平较高,aphA1、strB和qnrS耐药基因普遍流行。

LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.

溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率。借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化。溅射氧分压在10%-25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜。

磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能

用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。

一种新型的全局互连结构及其加工方法

随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。

制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究

为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径。

发电厂继电保护的干扰因素简析

发电厂是我国生产电能的主要基地,每年发电厂生产了大量的电能供社会各行业使用,维持了正常的社会供电状态。随着电力行业技术的改革调整,发电厂设备故障发生率逐渐上升,不仅破坏了发电厂原有的生产秩序,也导致电能产量大幅度降低。为了避免设备故障造成的不利影响,发电厂为设备配备了继电保护装置,但是发电厂继电保护常会受多项因素的干扰而导致继电保护功能受损。文章主要针对火力发电厂内的继电保护抗干扰问题进行分析。

溅射工艺对LaNiO_3薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜。

一株牛源都柏林沙门氏菌的全基因组测序及毒力与耐药性分析

【背景】沙门氏菌(Salmonella spp.)是重要的人畜共患病原菌,其毒力和耐药性的不断增强引起广泛关注。【目的】了解从通辽市一犊牛死亡病例中所分离牛源都柏林沙门氏菌的毒力及耐药性情况。【方法】以病死犊牛肺脏为材料,经细菌分离纯化及16SrRNA基因测序,鉴定病原为沙门氏菌。采用动物试验、药敏试验和PCR方法对分离菌进行毒力、耐药性,以及毒力基因和耐药基因检测,并对其进行全基因组测序分析。【结果】分离菌具有较强毒力,对小鼠半数致死量为2.8×10^(6) CFU/mL。分离菌为多重耐药菌,仅对多粘菌素B和噻孢霉素敏感,对强力霉素和恩诺沙星中度敏感。检测13种沙门氏菌常见毒力基因,检出率为92.3%。对分离菌进行全基因组测序分析,该菌株为都柏林沙门氏菌,基因组大小为4965370 bp,GC含量为52.12%,同时携带2个质粒,大小分别为79524 bp(pTLS-1)和45301 bp(pTLS-2)。分离菌中共携带996个毒力基因和24个毒力岛;共携带42个耐药基因,其中4个为可水平转移基因,基因组中存在9个可移动遗传元件,包括插入序列和转座子等。【结论】分离牛源都柏林沙门氏菌菌株具有较强毒力且为多重耐药株,携带大量毒力基因及耐药基因。

Effect of LaNiO_3 Interlayer on the Dielectric Properties of Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 Thin Film on Si Substrate

In this study,(100)-oriented growth of Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3(BST)/LaNiO_3(LNO) stacks was obtained on Pt(111)/SiO_2/Si substrates by r.f.magnetron sputtering.The orientation of the subsequently deposited Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3 thin film was strongly affected by the LNO under layer,and the BST thin film deposited on the(100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant(100)-oriented texture.Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated.As a result,the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of(100)-oriented LNO under layer with proper thickness.