用正电子湮没实验研究PbWO_4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究了PbWO_4晶体退火处理前后缺陷的变化；发现氧退火后，晶体正电子寿命值τ_2变小，正电子捕获率κ增大，真空退火反之。并且PbWO_4晶体氧退火后发光主峰位从440nm移到485nm的绿光处，而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响，提出了PbWO_4晶体中铅空位形成WO_3＋O^-发绿光的发光模型。

CuZnAl合金淬火和时效的正电子湮没研究──关于热弹马氏体稳定化原因的讨论

用正电子湮没Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽能谱仪和寿命仪研究了一种淬火和时效后的ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金，对结果的分析认为：热弹马氏体稳定化的主导因素以空位运动为好。

类Ni稀土X光激光波段衰减膜的设计与研究

对类 Ｎｉ稀土 Ｘ 光激光波段衰减膜进行了设计，并根据设计结果，利用磁控溅射和旋转涂覆法分别制备了自支撑的 Ａｇ 衰减膜和聚苯乙烯（ Ｃ８ Ｈ８）衰减膜。利用真空 α能谱测厚仪和 αｓｔｅｐ１００ 台阶仪分别对衰减膜的质量厚度和均匀性进行了测量，用 Ａｕｇｅｒ 电子能谱（ Ａ Ｅ Ｓ）对 Ａｇ 衰减膜进行了表面杂质分析。

软X光激光Sn衰减膜的制备及测量

采用磁控溅射方法制备了 Ｓｎ 衰减膜。应用真空α能谱测厚仪和αｓｔｅｐ １００ 台阶仪分别测得 Ｓｎ 衰减膜的质量厚度为４５０．３ μｇ／ｃｍ ２，表面不均匀性＜ ３ ％ 。质量厚度和表面均匀性的测试结果均符合软 Ｘ 光激光实验的要求。利用俄歇电子能谱对 Ｓｎ 膜表面杂质及表面氧化情况并结合 Ａｒ 离子束刻蚀对氧含量深度分布情况进行了分析。分析结果表明： Ｓｎ 膜暴露在空气中而氧化生成一定厚度的氧化层，其主要成分是 Ｓｎ Ｏ２ 和 Ｓｎ２ Ｏ３。