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基于富勒烯纳米结构材料光限幅特性研究 被引量:1
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作者 祖继峰 高亚臣 +3 位作者 王玉晓 曲士良 宋瑛林 范文奇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1099-1101,共3页
应用倍频Nd:YAG脉冲激光,在波长为532nm,脉宽8ns,重复频率10Hz的条件下,研究了新型基于富勒烯纳米结构材料(C_60-bpy-Au)的光限幅特性。实验结果表明,其限幅特性较C60有所提高,初步分析了光限幅和溶剂效应.
关键词 富勒烯纳米结构材料 光限幅 倍频Nd:YAG脉冲激光 溶剂效应
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掺铑钛酸钡晶体中温度增强的光折变性质
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作者 迟明军 窦硕星 +4 位作者 高宏 宋宏伟 祖继峰 朱镛 叶佩弦 《量子电子学报》 CAS CSCD 1997年第6期568-569,共2页
关键词 光折变 晶体 钛酸钡 掺杂
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Enhanced Photorefractive Properties of a Rh-Doped BaTiO_(3) Crystal at Elevated Temperature
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作者 CHI Ming-jun DOU Shuo-xing +4 位作者 GAO Hong SONG Hong-wei ZU Ji-feng ZHU Yong YE Pei-xian 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1997年第11期838-841,共4页
Two-beam coupling and self-pumped phase conjugation properties of a Rh-doped BaTiO_(3) crystal were investigated at 633nm as the temperature was increased from 20 to 50℃.A significant decrease in response time and an... Two-beam coupling and self-pumped phase conjugation properties of a Rh-doped BaTiO_(3) crystal were investigated at 633nm as the temperature was increased from 20 to 50℃.A significant decrease in response time and an increase in gain of two-beam coupling were obtained.The self-pumped phase conjugation reflectivity was increased from 45 to 64%in this temperature range. 展开更多
关键词 coupling beam REFLECTIVITY
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传导冷却结构紧凑型高峰值功率纳秒级激光器 被引量:7
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作者 谢银 孟俊清 +1 位作者 祖继峰 陈卫标 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期41-46,共6页
报道了一种基于被动调Q Nd∶YAG微片结构的主振荡功率放大和Nd∶YVO4板条多程放大的激光器。主振荡级采用Nd∶YAG/Cr4+∶YAG被动调Q微片激光器,在重复频率为1 k Hz时,输出单脉冲能量为82μJ、脉冲宽度为1 ns的近衍射极限的激光输出。... 报道了一种基于被动调Q Nd∶YAG微片结构的主振荡功率放大和Nd∶YVO4板条多程放大的激光器。主振荡级采用Nd∶YAG/Cr4+∶YAG被动调Q微片激光器,在重复频率为1 k Hz时,输出单脉冲能量为82μJ、脉冲宽度为1 ns的近衍射极限的激光输出。为了实现信号光在Nd∶YVO4中获得5次放大,设计采用了多程往返光路。得到最大单脉冲能量为2.3 m J,脉宽为1 ns的激光输出,峰值功率大于2 MW,光束质量M2因子为M2x=2.48和M2y=1.24。该激光器结构简单、紧凑,采用传导冷却进行散热,适用于空间激光,在15℃~32℃的范围内,输出能量波动小于4%。 展开更多
关键词 激光器 主振荡功率放大器 多程放大 被动调Q Nd∶YAG Nd∶YVO4
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Semiconductor saturable-absorber mirror passively Q-switched Yb:YAG microchip laser 被引量:1
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作者 尹霞 孟俊清 +1 位作者 祖继峰 陈卫标 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第8期47-49,共3页
A compact passively Q-switched Yb:YAG microchip laser is demonstrated. Featuring a semiconductor saturable-absorber mirror (SESAM), the laser yields pulses of 219 ps when the length of the microchip Yb:YAG crystal... A compact passively Q-switched Yb:YAG microchip laser is demonstrated. Featuring a semiconductor saturable-absorber mirror (SESAM), the laser yields pulses of 219 ps when the length of the microchip Yb:YAG crystal is 100 #m and the beam quality is M2 〈 1.3. To the best of our knowledge, pulses from the proposed laser are the shortest Q-switching pulses obtained from Yb:YAG microchip lasers currently available. 展开更多
关键词 Microprocessor chips Q switching Semiconductor saturable absorber mirrors
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