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关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题 被引量:3
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作者 郭佳惠 祝六花 《电子器件》 CAS 2000年第4期262-266,共5页
应力迁移是影响集成电路 ( IC)金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式 ,并分类说明金属膜厚、线宽、温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产... 应力迁移是影响集成电路 ( IC)金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式 ,并分类说明金属膜厚、线宽、温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产生的可能机理及目前采取的几种对策。 展开更多
关键词 应力迁移 金属配线 ULSI 集成电路 制造
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VLSI制作过程中Al配线可靠性控制
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作者 郭佳惠 祝六花 《电子器件》 CAS 2000年第3期196-199,共4页
本文主要讨论 Al配线可靠性的控制方法及溅射过程中真空度对 Al膜淀积质量的影响 ,运用 Q-Mass监控溅射过程系统基本真空控制 Al膜质量。
关键词 Al配线 可靠性 VLSI 制作过程 集成电路
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