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题名关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题
被引量:3
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作者
郭佳惠
祝六花
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机构
华越微电子有限公司
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出处
《电子器件》
CAS
2000年第4期262-266,共5页
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文摘
应力迁移是影响集成电路 ( IC)金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式 ,并分类说明金属膜厚、线宽、温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产生的可能机理及目前采取的几种对策。
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关键词
应力迁移
金属配线
ULSI
集成电路
制造
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Keywords
stree migration, Compressive stress, tensile stress, slit, void
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分类号
TN470.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名VLSI制作过程中Al配线可靠性控制
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作者
郭佳惠
祝六花
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机构
华越微电子有限公司
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出处
《电子器件》
CAS
2000年第3期196-199,共4页
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文摘
本文主要讨论 Al配线可靠性的控制方法及溅射过程中真空度对 Al膜淀积质量的影响 ,运用 Q-Mass监控溅射过程系统基本真空控制 Al膜质量。
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关键词
Al配线
可靠性
VLSI
制作过程
集成电路
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Keywords
Al Routing, Reliability, Sputtering, Q Mass
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分类号
TN470.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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