近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析

为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。

三代微光管防离子反馈Al_2O_3膜电子轰击放气成分分析

为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对三代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Al2O3膜MCP放出有对阴极光电发射有害的C、CO、CO2、NO、H2O2和CXHY化合物,它们来源于Al2O3膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于2×10-9 Pa且无CXHY化合物气体的Al2O3膜。