高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P...高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P面朝下贴装在AlN陶瓷基板上后,测试880nm激光器的阈值电流为1.1A,斜率效率为1.11W/A,中心工作波长为11A时为880.8nm,光谱半高宽(FWHM)为2.2nm。在16A的连续电流和20°C的冷却水温下进行加速老化试验,老化时间达到2000h时无故障。根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型,MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时。展开更多
文摘高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P面朝下贴装在AlN陶瓷基板上后,测试880nm激光器的阈值电流为1.1A,斜率效率为1.11W/A,中心工作波长为11A时为880.8nm,光谱半高宽(FWHM)为2.2nm。在16A的连续电流和20°C的冷却水温下进行加速老化试验,老化时间达到2000h时无故障。根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型,MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时。