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像素级模数转换器研究进展 被引量:1
1
作者 张艺潇 祝晓笑 单光宝 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第5期645-654,共10页
像素级模数转换器因其独特的集成位置而具有高帧频、大动态范围、低功耗及低噪声等优点,广泛应用于红外、可见光及太赫兹成像等领域。文章介绍了主流像素级模数转换器结构的原理,综述了像素级模数转换器在动态范围、功耗、面积及噪声等... 像素级模数转换器因其独特的集成位置而具有高帧频、大动态范围、低功耗及低噪声等优点,广泛应用于红外、可见光及太赫兹成像等领域。文章介绍了主流像素级模数转换器结构的原理,综述了像素级模数转换器在动态范围、功耗、面积及噪声等性能参数的研究进展,最后分别比较和总结了各改进方向的几种关键技术并做出展望。 展开更多
关键词 读出电路 像素级模数转换器 数字像素传感器 动态范围 功耗
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一种CMOS图像传感器片上LVDS驱动电路设计 被引量:3
2
作者 祝晓笑 翟江皞 +2 位作者 赵洋立 王世腾 刘昌举 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第5期623-627,633,共6页
为满足CMOS图像传感器(CIS)图像数据高速输出的需求,提出一种适用于CIS的片上高速低电压差分信号(LVDS)驱动电路结构。首先介绍了CIS高速数据传输接口的常见类型、LVDS接口技术的起源和特点;接着根据CIS的需求特点确定了LVDS驱动电路的... 为满足CMOS图像传感器(CIS)图像数据高速输出的需求,提出一种适用于CIS的片上高速低电压差分信号(LVDS)驱动电路结构。首先介绍了CIS高速数据传输接口的常见类型、LVDS接口技术的起源和特点;接着根据CIS的需求特点确定了LVDS驱动电路的设计思路和结构;最后给出了驱动电路设计原理图和仿真结果,以及接收端眼图仿真结果。仿真结果表明,该LVDS驱动电路,数据传输速率可以达到500Mb/s,所有参数均满足TIA/EIA-644A接口标准的需求,接收端眼高为310mV,眼宽为0.9UI。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 LVDS驱动电路 TIA/EIA-644A接口标准 眼图
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格雷码在焦平面CMOS读出电路中的应用 被引量:3
3
作者 祝晓笑 刘昌举 蒋永富 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期506-508,525,共4页
介绍了一种利用格雷码在焦平面CMOS读出电路中实现灵活读出方式,并且改善芯片整体性能的设计思想,采用的仿真设计工具是Cadence IC 5.0。在分析格雷码特征的基础上,利用格雷码的反射性和单步循环特性设计了一种不同于传统结构的新型读... 介绍了一种利用格雷码在焦平面CMOS读出电路中实现灵活读出方式,并且改善芯片整体性能的设计思想,采用的仿真设计工具是Cadence IC 5.0。在分析格雷码特征的基础上,利用格雷码的反射性和单步循环特性设计了一种不同于传统结构的新型读出电路,并给出了相应的仿真波形。该读出电路以较简单的结构实现了四种顺序的读出方式,同时降低了芯片功耗并提高了稳定性。 展开更多
关键词 格雷码 读出电路 焦平面
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基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计 被引量:1
4
作者 祝晓笑 石念 +1 位作者 杨洪 翁雪涛 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期492-494,572,共4页
介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。
关键词 CCD 模型参数提取 测试图形
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安防用CMOS图像传感器片上图像信号处理电路综述
5
作者 祝晓笑 任思伟 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期677-682,共6页
图像信号处理技术的研究和应用在安防领域具有特殊的重要意义。介绍了一系列用于安防系统CMOS图像传感器片上图像信号处理电路的原理和算法。具体包括黑电平校正、镜头阴影校正、插值降噪、色彩校正、伽玛校正、自动白平衡、自动曝光、... 图像信号处理技术的研究和应用在安防领域具有特殊的重要意义。介绍了一系列用于安防系统CMOS图像传感器片上图像信号处理电路的原理和算法。具体包括黑电平校正、镜头阴影校正、插值降噪、色彩校正、伽玛校正、自动白平衡、自动曝光、自动聚焦、YUV空间转换(RGB2YUV),以及背光补偿等模块处理电路等。 展开更多
关键词 安防 CMOS图像传感器 图像信号处理
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用于高速CMOS图像传感器的锁相环模块 被引量:5
6
作者 刘戈扬 李明 +2 位作者 祝晓笑 吴治军 张靖 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第4期497-501,共5页
随着CMOS图像传感器(CIS)向片上系统化、高度集成化方向发展,片内锁相环(PLL)成为系统不可或缺的片上时钟模块,而高速高集成的CIS对PLL的高频时钟输出能力提出了新的挑战。介绍了一种基于0.13μm CIS工艺设计的电荷泵PLL模块,该模块工作... 随着CMOS图像传感器(CIS)向片上系统化、高度集成化方向发展,片内锁相环(PLL)成为系统不可或缺的片上时钟模块,而高速高集成的CIS对PLL的高频时钟输出能力提出了新的挑战。介绍了一种基于0.13μm CIS工艺设计的电荷泵PLL模块,该模块工作于1.5V电压,利于控制功耗;具备压控振荡器(VCO)电流自偏置和自校准技术,可提供最高频率为480MHz的输出信号和更好的噪声性能;多种输入输出倍频可选功能使其能够满足多样化的片上时钟生成需求,提高可复用性。仿真结果表明,当实现12倍频且输出频率为480MHz时,该PLL模块输出信号的均方根周期抖动为837fs,功耗为2.817mW,满足高速CIS对时钟速度的需求,同时保证了输出时钟的低噪声和模块本身的低功耗。 展开更多
关键词 高速CMOS图像传感器 锁相环 压控振荡器自偏置 压控振荡器自校准
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全局快门CMOS图像传感器研究进展 被引量:3
7
作者 刘昌举 张靖 +2 位作者 李毅强 祝晓笑 任思伟 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第3期303-308,共6页
全局快门CMOS图像传感器广泛应用于高速运动物体的成像,包括机器视觉、工业测量、航空航天,以及军事应用等领域。介绍了全局快门CMOS图像传感器的主要类型,具体分析了灵敏度、寄生光灵敏度、读出噪声、动态范围和帧频等性能参数的研究... 全局快门CMOS图像传感器广泛应用于高速运动物体的成像,包括机器视觉、工业测量、航空航天,以及军事应用等领域。介绍了全局快门CMOS图像传感器的主要类型,具体分析了灵敏度、寄生光灵敏度、读出噪声、动态范围和帧频等性能参数的研究进展。最后对国内外有代表性的全局快门CMOS图像传感器产品进行了介绍。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 全局快门 寄生光灵敏度 动态范围
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一种弱光成像用AlGaN APD阵列的读出电路设计 被引量:3
8
作者 邓光平 刘昌举 +2 位作者 祝晓笑 熊平 吴治军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期569-572,575,共5页
设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管(APD)阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器(CTIA)结构。利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子(CVF)与积分电容、放大器增益的关系。为增加最大探... 设计了64×64 AlGaN雪崩光电二极管(APD)阵列的读出电路,该读出电路采用了具有稳定探测器偏压能力的电容跨阻抗放大器(CTIA)结构。利用APD的等效电路模型,推导了电荷-电压转换因子(CVF)与积分电容、放大器增益的关系。为增加最大探测光电流、降低响应的非均匀性,利用上述关系得到积分电容为70fF,放大器增益为300。读出电路的地址选择采用移位寄存器来实现,并采用电压缓冲器实现信号的输出。 展开更多
关键词 读出电路 雪崩光电二极管 CTIA 电荷-电压转换因子
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一种应用于CMOS图像传感器的逐行转隔行数据缓存方法 被引量:3
9
作者 任思伟 祝晓笑 +1 位作者 张婷婷 刘昌举 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第3期440-444,共5页
从结构设计和方法优化入手,提出了基于双SRAM缓存结构并采用乒乓读写原理的CMOS图像传感器逐行转隔行数据缓存方法。该方法采用两组SRAM作为缓存,并利用乒乓读写原理,抽取逐行数据中奇数帧周期的奇数行作为隔行数据的奇数场,抽取逐行数... 从结构设计和方法优化入手,提出了基于双SRAM缓存结构并采用乒乓读写原理的CMOS图像传感器逐行转隔行数据缓存方法。该方法采用两组SRAM作为缓存,并利用乒乓读写原理,抽取逐行数据中奇数帧周期的奇数行作为隔行数据的奇数场,抽取逐行数据中偶数帧周期的偶数行作为隔行数据的偶数场,最终实现CMOS图像传感器逐行数据到奇偶隔行数据的转换。相比传统的采用片外帧存储处理方式,极大地减小了存储面积,便于实现与CMOS图像传感器的单芯片集成,降低了成本,同时也极大地降低了电路工作时的存储读写功耗。 展开更多
关键词 逐行转隔行 SRAM缓存 乒乓读写 CMOS图像传感器
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一种应用于CMOS图像传感器的电容阵列PGA研究 被引量:1
10
作者 吴治军 刘昌举 +2 位作者 祝晓笑 熊平 杨雄敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期629-633,736,共6页
研究了一种应用于1 024×1 024CMOS图像传感器中的温度计码电容阵列型可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用开关电容阵列结构,通过改变输入与反馈电容值,实现了0~18dB的增益;同时,该PGA具有结构简单、电容阵列面积小、带宽大和反馈系... 研究了一种应用于1 024×1 024CMOS图像传感器中的温度计码电容阵列型可编程增益放大器(PGA)。该PGA采用开关电容阵列结构,通过改变输入与反馈电容值,实现了0~18dB的增益;同时,该PGA具有结构简单、电容阵列面积小、带宽大和反馈系数大等特点,其增益带宽50MHz、总谐波失真(THD)小于50dB。该PGA的信号处理能力完全满足12MHz速率、69dB动态范围CMOS图像传感器内部集成ADC对模拟输入信号的要求。 展开更多
关键词 电容阵列型PGA 开关电容网络 CMOS图像传感器
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基于片上系统的时钟复位设计 被引量:2
11
作者 任思伟 唐代飞 +3 位作者 祝晓笑 刘昌举 刘戈扬 翟江皞 《半导体光电》 北大核心 2017年第2期293-298,共6页
从方法优化和电路设计入手,提出了基于片上系统(SOC)的复位方法和时钟复位电路。设计了片外按键复位电路、片内上电电路、晶振控制电路、片内RC低频时钟电路、槽脉冲产生电路、分频延时电路、时钟切换电路及异步复位同步释放电路等电路... 从方法优化和电路设计入手,提出了基于片上系统(SOC)的复位方法和时钟复位电路。设计了片外按键复位电路、片内上电电路、晶振控制电路、片内RC低频时钟电路、槽脉冲产生电路、分频延时电路、时钟切换电路及异步复位同步释放电路等电路模块。以上电路模块构成了片上系统的时钟复位电路,形成了特定的电路时钟复位系统。该时钟复位系统将片外按键复位与片内上电复位结合起来,形成多重复位设计,相比单纯按键复位更智能,相比单纯上电复位则更可靠。另外,该时钟复位系统还采用了片内RC振荡时钟电路等一系列电路,借助片内RC时钟实现对芯片的延时复位,进而在保证复位期间寄存器得到正确初始化的同时,还使得芯片能够始终处在稳定的晶振时钟下正常工作。相比传统的时钟复位电路,该时钟复位系统既便捷,又保证了系统初始化和系统工作的可靠性。 展开更多
关键词 片上系统 时钟设计 复位设计 延时复位
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256×256 CMOS读出电路随机开窗的简易实现 被引量:1
12
作者 江永清 周岩 +1 位作者 刘昌举 祝晓笑 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期105-108,共4页
介绍了一种实现CMOS读出电路的随机开窗口的方法。该方法采用译码器的方式实现,与传统的移位寄存器实现读出电路随机开窗相比,该方法的优点是电路结构简单、版图占用芯片面积小、功耗低,以及操作灵活。主要介绍了采用译码器实现随机开... 介绍了一种实现CMOS读出电路的随机开窗口的方法。该方法采用译码器的方式实现,与传统的移位寄存器实现读出电路随机开窗相比,该方法的优点是电路结构简单、版图占用芯片面积小、功耗低,以及操作灵活。主要介绍了采用译码器实现随机开窗的原理和电路设计,并给出了相应的仿真波形。 展开更多
关键词 随机开窗 CMOS读出电路 译码器
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640×512焦平面读出电路设计 被引量:1
13
作者 李毅强 刘昌举 祝晓笑 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期777-781,共5页
介绍了640×512电容反馈跨阻放大器(CTIA)型焦平面读出电路的设计,包含模拟电路与数字模块设计。分析了CTIA采样单元的设计,折中优化了采样单元的面积、噪声、增益等因素,同时优化了采样单元控制电路,最大限度地提高了对采样单元阵... 介绍了640×512电容反馈跨阻放大器(CTIA)型焦平面读出电路的设计,包含模拟电路与数字模块设计。分析了CTIA采样单元的设计,折中优化了采样单元的面积、噪声、增益等因素,同时优化了采样单元控制电路,最大限度地提高了对采样单元阵列的驱动能力;数字控制部分着重分析了对行选、列选、翻转读出、随机开窗、隔行扫描、多路选择输出等功能的实现方式。设计基于0.5μm DPTM工艺进行仿真验证,采样单元面积为25μm×25μm,工作频率为5MHz,芯片面积为18.1mm×17.4mm,输出摆幅大于2.5V,动态范围大于70dB。 展开更多
关键词 焦平面 读出电路 电容反馈跨阻放大器 隔行扫描 随机开窗
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基于4T结构的高灵敏度CMOS图像传感器设计
14
作者 刘昌举 吴治军 +2 位作者 祝晓笑 熊平 吕玉冰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期366-369,共4页
基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪... 基于0.35μm工艺,设计了应用于低光照环境下的低噪声、高灵敏度CMOS图像传感器。该图像传感器采用PPD 4T像素结构,像素阵列512×512,包含列级运放、水平移位寄存器、逻辑控制单元、单斜率模数转换器和偏置电路等模块。通过采用低噪声PPD 4T像素结构、低噪声列级放大器电路结构,以及对版图的优化设计等措施实现了低噪声、高灵敏度的CMOS图像传感器设计。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 PPD4T像元 单斜率模数转换器 低噪声
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一种单片集成式光-频率转换芯片
15
作者 李毅强 吴治军 +2 位作者 翟江皞 祝晓笑 王世腾 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第3期318-320,共3页
介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M... 介绍了一种单片集成式光-频率转换芯片,给出了流片芯片的测试结果。芯片内部光电二极管产生随光强变化的光生电流,积分电容将其转换为电压信号,当电压达到比较器阈值时,比较器翻转,振荡电路振荡,光强被转变为频率信号。采用0.6μm 2P3M工艺进行了流片,实现了芯片在三端封装条件下的正常工作,芯片尺寸为1.8mm×1.7mm,光敏区面积为850μm×850μm,非线性小于1%,暗电流小于1Hz,输出信号占空比为50%,芯片最高输出频率为1MHz。 展开更多
关键词 光频转换 光电二极管 CTIA 比较器 振荡器
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一种基于视网膜细胞排布的光电探测器
16
作者 邓光平 刘业琦 +3 位作者 王颖 刘昌举 祝晓笑 熊平 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期194-196,共3页
基于视网膜特有的细胞排布方式,并利用CMOS图像传感器工艺,设计并制造了一种仿视网膜的光电探测器。为降低像素尺寸因素引起的图像非均匀性,光电探测器采用7T对数像素结构。测试结果显示该光电探测器具有良好的成像效果。
关键词 视网膜 光电探测器 对数像素 仿生学
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基于CCD工艺提取MOS模型的电路验证
17
作者 吕玉冰 祝晓笑 +2 位作者 翁雪涛 岳志强 苏玉棉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期221-224,共4页
对基于CCD工艺提取的BSIM3v3模型,在CCD片上放大器电路上进行了验证,通过在直流、瞬态和交流条件下对比电路的仿真数据和实际测试数据,验证了该模型,即提取的模型能够满足电路模拟的要求。
关键词 CCD 模型参数提取 验证
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应用于CMOS图像传感器的带保护LDO电路的设计 被引量:3
18
作者 翟江皞 李明 +2 位作者 祝晓笑 刘昌举 李毅强 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第3期341-344,349,共5页
随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求。为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片... 随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用,低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势,低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求。为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁,设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路,并加入了LDO的保护电路结构。该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能,并能够通过数字电路对LDO进行使能控制。基于0.11μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析,完成了该工艺下电路版图的绘制和验证。 展开更多
关键词 CIS LDO 保护电路 欠压保护 过流保护
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一种应用于安防监控的CMOS图像传感器的自动曝光算法研究 被引量:4
19
作者 刘业琦 吴治军 +2 位作者 刘昌举 祝晓笑 刘戈扬 《半导体光电》 北大核心 2017年第2期283-287,共5页
针对传统自动曝光算法难以兼顾实时性和平滑性的缺点,设计了一种结合直接计算法和可变步长调节法的综合性算法,研究了算法原理,给出了算法流程。该算法可以通过改变步长参数,自由设定将图像亮度调节到目标亮度的时间,使其能够适用于各... 针对传统自动曝光算法难以兼顾实时性和平滑性的缺点,设计了一种结合直接计算法和可变步长调节法的综合性算法,研究了算法原理,给出了算法流程。该算法可以通过改变步长参数,自由设定将图像亮度调节到目标亮度的时间,使其能够适用于各种不同的应用场合。在基于FPGA的CMOS图像采集平台上完成了算法实现,实验结果证明采用该算法可以使图像亮度快速平稳地接近理想亮度,成像效果很好。 展开更多
关键词 自动曝光 CMOS图像传感器 安防监控
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一种适用于昼夜兼容CMOS图像传感器的动态范围拓展方法 被引量:1
20
作者 刘业琦 刘戈扬 祝晓笑 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第4期760-764,共5页
为了提高CMOS图像传感器的动态范围并应用于昼夜兼容成像,提出了一种新的动态范围拓展方法。该方法在像素中设置多个复位屏障,以延长曝光过程中光电二极管的饱和时间,同时通过在不同成像环境中切换像素积分电容大小,提高微光成像时的响... 为了提高CMOS图像传感器的动态范围并应用于昼夜兼容成像,提出了一种新的动态范围拓展方法。该方法在像素中设置多个复位屏障,以延长曝光过程中光电二极管的饱和时间,同时通过在不同成像环境中切换像素积分电容大小,提高微光成像时的响应灵敏度和强光成像时的满阱容量,从而实现昼夜兼容高动态成像。经MATLAB仿真证明,该方法可将传统CMOS图像传感器的动态范围从61 dB拓展到102 dB。 展开更多
关键词 动态范围 昼夜兼容 CMOS图像传感器
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