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旋转长方体中的双曲线
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作者 张莱 吴统胜(指导) 禤铭东 《数学学习与研究》 2020年第13期131-133,共3页
本文首先讨论以正方体的体对角线为旋转轴旋转正方体得到的轴截面的曲线,然后推广到长方体的旋转轴截面的曲线.
关键词 长方体 正方体 旋转 轴截面 双曲线
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椭圆内接四边形性质的探究与应用
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作者 林杰明 吴统胜 禤铭东 《数学学习与研究》 2020年第12期150-151,共2页
本文笔者对椭圆内接四边形面积最大值及相关推论进行了较深入而详细的探究,总结归纳出了几个一般性的新的探究结论,并结合例题详细说明了所得的探究结论在解题中的应用.
关键词 椭圆内接四边形 性质 探究
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一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法 被引量:1
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作者 戴隆贵 禤铭东 +3 位作者 丁芃 贾海强 周均 陈弘 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期315-320,共6页
本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度... 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构.利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜,以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀,使SiO2点阵图形下形成一层很薄的硅台面,是本方法的两个关键工艺步骤.扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀,尺寸可控,孔阵周期为450nm,方孔大小为200—280nm. 展开更多
关键词 激光干涉光刻 纳米阵列 刻蚀 氟碳有机聚合物
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Fabrication of large-area nano-scale patterned sapphire substrate with laser interference lithography 被引量:4
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作者 禤铭东 戴隆贵 +1 位作者 贾海强 陈弘 《Optoelectronics Letters》 EI 2014年第1期51-54,共4页
Periodic triangle truncated pyramid arrays are successfully fabricated on the sapphire substrate by a low-cost and high-efficiency laser interference lithography(LIL)system.Through the combination of dry etching and w... Periodic triangle truncated pyramid arrays are successfully fabricated on the sapphire substrate by a low-cost and high-efficiency laser interference lithography(LIL)system.Through the combination of dry etching and wet etching techniques,the nano-scale patterned sapphire substrate(NPSS)with uniform size is prepared.The period of the patterns is 460 nm as designed to match the wavelength of blue light emitting diode(LED).By improving the stability of the LIL system and optimizing the process parameters,well-defined triangle truncated pyramid arrays can be achieved on the sapphire substrate with diameter of 50.8 mm.The deviation of the bottom width of the triangle truncated pyramid arrays is 6.8%,which is close to the industrial production level of 3%. 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 激光干涉 图案化 纳米级 干涉光刻 基板 制造 面积
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