基于静态随机存取存储器单粒子效应的中子能谱测量方法

通过对静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)单粒子翻转截面的研究,提出了一种更有效、成本更低、可测量一到几十兆电子伏能量范围内中子能谱的新方法。利用已发表单粒子翻转截面信息的SRAM,采用奇异值分解(singular value decomposition,SVD)方法进行解谱,可测试低能中子源的中子能谱。在进一步的研究中,利用信息熵理论研究了SRAM的数量与能谱测试准确性的关系。研究结果表明,解谱结果的精度在很大程度上取决于SRAM翻转截面的敏感区宽度和参与解谱的不同SRAM的数量。

应用于白光中子束线的低气压纯氦气正比计数器

通过蒙特卡罗模拟和实验测试,研究了不同工作气压下纯^(3)He气体正比计数器的基本性能,包括幅度响应和时间响应;开展了低气压纯^(3)He气体正比计数器α信号的探测实验。实验结果表明,当正比计数器内部^(3)He气压为0.25~1 atm(1 atm=1.013×10^(5)Pa)时,该探测器具有良好的正比计数功能,探测器内中子反应计数为数百每秒,满足中国散裂中子源的反角白光中子源(Back-n)开展中子与^(3)He反应截面测量实验的应用需求,可为未来Back-n配置^(3)He相关探测器、开展^(3)He截面的测量工作及进行白光中子的极化实验等提供参考。

基于Back-n白光中子实验装置的SRAM翻转截面测量

本文主要研究静态随机存取存储器(static random-access memory,SRAM)的单粒子效应翻转截面的测量方法。基于宽能谱白光中子束流,采用了一种操作更方便的SRAM翻转截面测量方法。在SRAM前面放置聚乙烯中子慢化材料改变入射到SRAM表面上的中子能谱,利用模拟计算得到改变后的中子能谱。利用奇异值分解法求解翻转率的矩阵方程得到SRAM的翻转截面。结果表明在4~15 MeV的能量范围内,使用反角白光中子源测试的SRAM翻转截面信息和参考文献中使用单能中子源测试拟合的SRAM翻转截面信息基本吻合。