三维锂离子微电池结构的研究进展

三维锂离子微电池通过利用空间高度获得了高的面积比能量,同时保持了高的功率密度。总结了三维锂离子微电池的结构及优点,概述了碳(C)-微电子机械系统(MEMS)及硅铸膜两种制备方法。

二甲苯用作锂离子电池过充保护的添加剂

二甲苯作为耐过充添加剂加入锂离子电池电解液中,实验发现,当电压为4.5V(相对于Li/Li+)时,二甲苯开始在正极发生反应,并扩散在正极与隔膜之间。生成的物质阻止了Li+的传递,从而实现了过充电保护。

CIS生产工艺对暗电流(Dark Current)性能的影响

研究工艺对CIS图像传感器(CMOS image sensor)的影响。通过隔离注入的优化、沉积薄膜膜质的优化、干法刻蚀工艺的优化及热制程的优化可减少硅氧界面载流子与声子群的散射,可大大减少Si-SiO2界面附近陷阱,从而降低CIS传感器的暗电流(Dark Current,DC)。实验数据表明,暗电流可改善30%~82.5%,可适用于不同像素尺寸(0.7~18μm)的CIS产品。

一种通过优化热处理条件提升CIS器件性能的方法

成像暗线噪声和满阱电容是影响互补型金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)芯片成像质量的重要性能参数。为了在单位面积内集成更多像素单元,单个像素尺寸不断缩小。一般来说,CIS芯片满阱电容与像素尺寸成正比。基于小尺寸像素而获得高满阱电容需要不断提升光电二极管的掺杂浓度。光电二极管阵列的窄间距和高掺杂浓度导致光电二极管间,光电二极管与像素区器件间的隔离效果变差,成像暗线失效严重。探索一种通过热处理工艺改善隔离效果的新方法。基于快速热氧化工艺和快速热退火工艺升温曲线的差异,通过优化热处理工艺条件,改善像素区隔离效果,将成像暗线噪声失效率降低73.2%,提升CMOS图像传感器产品良率。

氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究

Sb2Te3（ST）薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度（～132℃）等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法（PLD）制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜（AFM）对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0，12nm和0．58nm，表面较为平整。研究表明，PLD法制备的氮掺杂sT薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6at％的ST薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。

4-溴苯甲醚用作锂离子电池过充保护添加剂的研究

通过在锂离子电池电解液中添加4-溴苯甲醚(4-Bromoanisole,简称4BA)来提高锂离子电池的过充保护能力.对电池分别进行了过充实验、循环伏安扫描、红外光谱分析、交流阻抗和容量特性测试,实验结果表明,在1mol?L-1LiPF6/EC+DEC+DMC(质量比1/1/1)中添加5%的4BA(质量分数)时,当外加电压为4.4V(相对于Li/Li+)时,4BA开始发生电聚合反应且生成高分子聚合物膜,使电池内阻增大而阻止电压的升高,从而使电池处于比较安全的状态.该体系正常充放电过程中,添加5%的4BA对电池容量特性基本没有影响,4BA的防过充机理为阻断机理.