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基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控
被引量:
23
1
作者
曾正
邵伟华
+6 位作者
陈昊
胡博容
陈文锁
李辉
冉立
张瑜洁
秋琪
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第4期1165-1176,共12页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感...
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
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关键词
SIC
MOSFET
开关行为调控
栅极电阻
栅–源电容
驱动电压
下载PDF
职称材料
题名
基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控
被引量:
23
1
作者
曾正
邵伟华
陈昊
胡博容
陈文锁
李辉
冉立
张瑜洁
秋琪
机构
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
泰科天润半导体科技(北京)有限公司
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第4期1165-1176,共12页
基金
国家自然科学基金项目(51607016)
国家重点研发计划专项项目(2017YFB0102303)
输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室自主研究项目(2007DA10512716301)~~
文摘
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
关键词
SIC
MOSFET
开关行为调控
栅极电阻
栅–源电容
驱动电压
Keywords
SiC MOSFET
on-off behavior control
gate resistor
gate-source capacitor
gate voltage
分类号
TM131.2 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控
曾正
邵伟华
陈昊
胡博容
陈文锁
李辉
冉立
张瑜洁
秋琪
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018
23
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