pH值对Bi-YIG纳米颗粒尺寸的影响

用共沉淀法制备了铋掺杂的钇铁石榴石(Bi-YIG)纳米颗粒。选择pH值分别为9,10,11和12进行沉淀。通过透射电镜(TEM)观察纳米颗粒的大小、分布,以及前驱体的结构,发现颗粒的尺寸随着pH值的增大而减小,当pH为12时达到最小,粒径在10 nm左右;前驱体的结构在pH值等于9,10和11时成网络状,并随着pH值的增大网络越来越连续,当pH值等于12时前驱体为一个个分散的颗粒。通过对前驱体结构的分析,分别从热力动力学和胶体化学两方面推测了pH值对颗粒大小及尺寸影响的机理。对不同pH值下制备的Bi-YIG纳米颗粒做了X射线衍射(XRD),并分析了pH值对石榴石相合成的影响。

一种制备Bi-YIG纳米晶薄膜的新方法(英文)

先用共沉淀法制备了含有一定莫尔比的金属元素的氢氧化物沉淀,然后用热解氢氧化物沉淀的方法制备了石榴石薄膜,其晶粒尺寸在10～20nm之间。通过对不同温度下合成的Bi-YIG薄膜的分析及测试,发现晶粒的大小在10～20nm之间,法拉第旋转角和磁光优质分别可达3.6*104°/cm和6.7°。从X射线衍射(XRD)中可以看出,直接制备的纳米颗粒和Bi-YIG薄膜都是单一的石榴石相,合成比较充分。

6T-SRAM共享接触孔失效定位的分析方法

6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发。随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造技术的难度,新的布局引入了共享接触孔(shared CT)的新结构,同时也带来了新的失效机制。系统地分析了共享接触孔带来的失效问题,并采用电性分析和传统失效分析相结合的新方法,准确定位了在共享接触孔与SRAM中另一反相器栅极之间存在的新的高阻失效,而这类高阻失效无法通过传统失效分析方法精确定位。对失效物理地址进行的切片检验证实了这种高阻失效,因此也证明了新的分析方法是有效的。