中国科学技术大学二维材料系列研究取得新进展

中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室的研究人员在二维材料系列研究中取得新进展，从理论上预言了“在GaN（001）衬底上可外延生长单层蓝磷”的方法，并提出了非常规的“半层半层”生长机制。

中科院“Post-FinFET”纳米线器件集成研究获进展

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在集成电路面向7nm及以下技术代的＂PostFinFET＂器件研究中取得新进展。FinFET器件是当前16nm/14nm节点集成电路工艺技术的关键架构。环栅纳米线器件具有优异的静电完整性和弹道输运特性,有望取代FinFET,应用于7nm以下节点工艺。