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题名GaN基多层结构椭偏测试模型优化和光谱研究
被引量:1
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作者
赵金霞
杜江锋
彭明明
朱石平
秘暇
夏建新
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第4期223-227,共5页
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文摘
利用椭圆偏振测试仪,对n+AlGaN/n-AlGaN/超晶格(SL)/AlN/蓝宝石多层复杂结构的椭偏测试方法进行了研究,其中SL层为AlGaN/GaN多层量子阱结构,将其简化为单层处理。通过改变测试条件进行多次测量,分析了结构模型、算法模型及不同入射角度对测试结果的影响,得到了最优测试结构模型和算法模型:粗糙度层(有效介质近似EMA模型)/n+AlGaN(柯西Cauchy模型)/n-AlGaN(Cauchy)/SL(EMA)/AlN(Cauchy)/蓝宝石。选择55°为入射角,在300~800nm波长测试得到了各层膜厚和光学常数谱。结果表明,椭偏测试所得各层膜厚度与工艺给出数据相符,但SL层厚度相对而言有较大偏差,这与其结构复杂性有关,尚待进一步研究。各层折射率色散关系正常,n+AlGaN层折射率与n-AlGaN层折射率相比偏小,这与其较高浓度和较大损伤有关。
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关键词
氮化镓
氮化铝镓
椭圆偏振测试
光学常数谱
折射率
消光系数
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Keywords
GaN
AlGaN
spectroscopic ellipsometry
optical constant spectra
refractive index
extinction coefficient
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
O484.5
[理学—固体物理]
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