过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究

用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。

成膜参量对“S”枪溅射制备的YBCO高温超导薄膜性能的影响

利用“S”枪磁控油射源,采用单靶磁控溅射原位退火技术,详细研究了YBCO(YBaCuO的简缩)高温超导薄膜质量与主要工艺参数之间的关系。XRD分析表明,典型条件制备的膜具有C轴择优取向织构,RBS分析表明,此时的膜具有基本上1:2:3的理想组份。

In_2O_3/Si衬底上的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜的特性研究

本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。