特种设备起重机械检验技术的创新与应用研究

通过对特种设备起重机械检验技术的研究和探讨,可以总结出几点关键信息。特种设备起重机械的检验至关重要,它确保了设备的安全运行。目前的检验技术存在一些局限性,如效率低、难以实时监测等。因此,创新的检验技术是解决这些问题的关键。例如,无人机检测和远程监测等技术能够提高效率和监测能力。未来,应注重研究和应用这些创新技术,以进一步提高特种设备起重机械的安全性。

退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响

利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550-600℃,退火时间控制在5-10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10^18cm^-3,迁移率为2.19 cm2V-1s^-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。

SO^(2-)_4 改性交联蒙脱土固体酸催化合成水杨酸正丁酯

制备了SO2-4改性硅锆双组分交联蒙脱土固体酸催化剂(SO2-4/SiZrM),用于水杨酸(C7H6O3)和正丁醇(C4H10O)的酯化反应,与传统酯化反应催化剂浓硫酸、磷钨酸、硫酸铁铵以及其他单组分交联剂交联的蒙脱土做酯化反应的催化剂相比,SO2-4/SiZrM有更好的催化活性。考察了带水剂的选择、酸醇量比〔n(C7H6O3)∶n(C4H10O)〕、催化剂用量〔w(SO2-4/SiZrM)〕、反应时间(t)、反应温度(θ)对催化合成水杨酸正丁酯(C11H14O3)的影响,并对合成的产物进行了折光率、红外光谱分析。酯化反应的最佳条件为:C4H10O为带水剂、n(C7H6O3)∶n(C4H10O)=1∶1 65、催化剂占酸投料质量的百分比为w(SO2-4/SiZrM)=6 5%、t=6h、θ=120～135℃,水杨酸的转化率可达88 22%,产物中w(C11H14O3)>99 9%。

基于LIN总线的车用无刷直流电机控制器设计

设计基于LIN总线的无刷直流电机控制器,给出控制器的总体结构以及软硬件的应用。试验结果表明该控制器稳定、可靠,满足设计要求。

锆交联累托土制备及其用于催化合成柠檬酸三丁酯的研究

制备了锆交联累托土Zr CLR、SO4 2 -/Zr CLR。采用XRD、IR、TGA和DTA等分析手段对催化剂进行表征 ,并将其应用于催化合成TBC。结果表明 ,锆交联使得累托土的d0 0 1增大了 0 4 12nm ,结构坍塌的温度提高了 86℃ ,SO4 2 -的引入使得催化剂在 5 0 0℃焙烧时出现了SO4 2 -/ZrO2 螯合双配位的固体酸结构。在TBC的合成中 ,SO4 2 -/Zr CLR显示出良好的催化活性和稳定性 ,转化率达到 95 6 3%,反复使用 5次活性仅下降了 4 17%。

硅锆双组分交联累托土固体酸催化剂的制备

用硅锆双组份交联剂交换Na基累托土中的水合钠离子,再引入SO2-4作促进剂进行改性,制备了SO2-4改性硅锆双组份交联累托土固体酸催化剂SO2-4/Si Zr CLR,以柠檬酸和正丁醇酯化反应作探针,考察了催化剂的制备条件对其催化活性的影响。实验结果表明,当[Si]/[Zr]为0 1mol/mol、[Si] [Zr]/clay为3 5mmol/g、SO2-4/clay的SO2-4质量分数为30%、650℃焙烧2h所制得的催化剂具有较好的催化活性和稳定性,第1次使用时能使柠檬酸的转化率达到96 95%,经反复再生后第5次使用,仍可使柠檬酸转化率达92 78%。

“互联网+”背景下开放微课程融入数学建模教学思考与探索

数学建模课程教学课时的有限与参赛学生需要掌握的知识点绝对量增大之间的矛盾日益突显。基于“互联网+”背景下高校数学建模竞赛实施现状调查和案例比较,从课程结构、课程实施、评价反馈、师资队伍建设以及人才培养等方面研究“在线微课程”融入数学建模课程的创新教学模式,为培养大学生数学素养和提升科研创新能力提供有效途径。

硅锆双组份交联累托土固体酸催化合成水杨酸正丁酯

将自制的SO2-4改性硅锆双组份交联累托土固体酸催化剂(SO2-4/SiZrR)用于水杨酸(C7H6O3)和正丁醇(C4H10O)的酯化反应,与传统酯化反应催化剂以及其他交联剂交联的累托土作酯化反应的催化剂相比,SO2-4/SiZrR催化剂有更好的催化活性。考察了影响酯化反应的诸因素,并对产物进行了折光率测试、红外光谱分析。酯化反应的最佳条件为:酸醇比n(C7H6O3)/n(C4H10O)=1/1 65、催化剂占酸投料质量的百分比为w(SO2-4/SiZrR)=6 5%、反应温度120～135℃、反应时间6h,水杨酸的转化率可达86 85%,产物中水杨酸正丁酯的质量分数w(C11H14O3)>99 9%。

介孔固体超强酸催化剂的制备与结构表征

以累托土为基质 ,采用硅锆双组分交联剂和SO2 -4改性的方法 ,研制交联粘土介孔固体超强酸 (SO2 -4/SiZrR) ,借助XRD ,BET法 ,FT IR ,Hammett指示剂法 ,NH3 TPD ,Py IR和DTA等现代分析测试方法 ,表征其结构 .实验结果表明 :5 0 0℃焙烧后 ,SO2 -4/SiZrR的Hammett酸度函数Ho<-11 93 ,最可几孔径分布在 2 3nm左右 ,具有超强酸性和介孔结构 ;其超强酸中心属于L酸中心 ,是主要的催化活性中心 ;硅锆双组分交联柱能使交联粘土的热稳定性提高 。

N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。

P型ZnO薄膜的制备及特性研究

ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料，是一种理想的短波长发光器件材料，在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景，实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术，在直径为100mm的单晶Si（110）衬底上制备ZnO薄膜，薄膜厚度为1．8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜（SEM）观察表明，离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷，粗糙度明显增加，但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射（XRD）给出样品具有对应于ZnO（002）面的衍射峰，表明薄膜具有较好的C轴择优取向。在不同温度下（500℃，650℃，800℃，900℃，950℃），

C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO∶C薄膜,借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在ZnO薄膜中存在形式。结果表明,所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的c轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加,薄膜的n型导电性能不断增强,其主要原因是ZnO薄膜中的C替代Zn位起施主作用。

p型ZnO∶Mn-N薄膜的制备及特性研究

用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO：Mn薄膜，继而进行N离子注入和退火处理，成功实现了ZnO薄膜的Mn—N两步法共掺杂和P型转变。利用X射线衍射（XRD）、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）等测试手段对其性能进行了分析。结果表明：所测样品均具有单一的c轴择优取向，薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成；薄膜在650℃经10～30min退火时均可实现P型转变，空穴浓度可达10^16-10^17cm^-3，表明650℃可能为ZnO：Mn—N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度；XPS能谱证明了Mn^2＋、N^3-离子的掺入；在热退火作用下，部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位，形成N-Zn或N-Mn键，是样品转变为P型的依据；P型ZnO：Mn—N薄膜室温下的禁带宽度为3．16eV，相对未掺杂ZnO的禁带宽度3．29eV明显减小。

SO_4^(2-)改性的镧-锆双组分交联累托土固体酸催化剂的制备和表征

用镧-锆双组分交联剂交换Na基累托土中的水合钠离子,再引入SO42-作促进剂进行改性,制备了SO42-改性的镧-锆双组分交联累托土固体酸催化剂(SO42-/La-Zr-CLR)。采用XRD、TGA、DTA和IR等分析手段对催化剂进行了表征,考察了催化剂的制备条件对其催化活性的影响。实验结果表明,将La引入到Zr交联剂中,交联后得到的交联粘土热稳定性明显提高。以乙酸和正丁醇酯化反应作探针,催化剂的最佳制备条件为:交联剂中n(La)/n(Zr)=0.15,n(Zr)/m(Na-R)=3.5 mmol/g,焙烧温度600℃。在此条件下制得催化剂的乙酸转化率达到96.74％,反复再生4次后,乙酸转化率仅下降4.68％。

基于数控编程的模具加工工艺分析

数控加工在模具制造中占据重要地位。根据数控编程的要求 。

某轮主机缸套裂纹原因分析

对裂纹的情况及处理经过进行了简单介绍,重点对缸套裂纹的原因进行了详细深入的分析,指出局部热疲劳是导致裂纹的关键因素,并对局部热疲劳的产生机理进行了分析,并指出了人员的操作和管理上的不当也是导致故障的重要原因。此文对于国产B&W 6S系列机型的使用和管理具有较强的借鉴和指导意义。

离子注入法制备N掺杂P型ZnO薄膜

采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm^(-3),电阻率为41.5Ω·cm。

粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜

在石英玻璃衬底上以ZnO∶In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜。借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质。结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018cm-3、1.35cm2V-1s-1和1.15Ωcm。X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%。其常温下的禁带宽度为3.2eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小。

非手术治疗肛门直肠高位脓肿30例报告

非手术治疗肛门直肠高位脓肿３０例报告北京中医医院肛肠科（１０００１０）秦国平，王宝光０引言以往无论是高位或是低位肛门直肠脓肿的治疗都是先行脓肿切开引流，待其形成肛瘘后再行二次肛瘘手术；也有的学者采用一次性切开挂线术。这对于提肛肌以下的脓肿无疑是较好的...

重商主义、自由主义、凯恩斯主义

高考试题具有鲜明的时代特色，试题在对热点问题考查时，往往不是“追”着考，就事论事，而是把热点问题放在大的历史背景下，重视对现实问题的历史分析，重视对热点问题进行“冷静”思考。