热输入对铝合金/不锈钢双丝冷金属过渡熔钎焊接头组织及性能的影响

采用双丝冷金属过渡(CMT)熔钎焊工艺对5083铝合金和304不锈钢进行对接焊试验,在保证焊缝成形良好的条件下,研究了焊接热输入对接头金属间化合物(IMC)层厚度和拉伸性能的影响,并与单丝CMT熔钎焊接头进行对比。结果表明:双丝和单丝CMT熔钎焊接头焊缝获得良好成形质量的热输入范围分别为213.8~486.0,379.6~590.6 J·mm^(-1);双丝CMT和单丝CMT熔钎焊接头界面处的IMC均为FeAl_(3)相;随着热输入的增加,单丝或双丝CMT熔钎焊接头IMC层厚度增加,抗拉强度降低;单丝CMT熔钎焊接头IMC层的最小厚度为9.59μm,此时接头的抗拉强度最大,为76 MPa,而双丝CMT熔钎焊接头IMC层的最小厚度为3.36μm,此时接头的抗拉强度最大,为109 MPa。

射频溅射功率对Mn-Co-Ni-O薄膜结构与性能的影响

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备了锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O,MCNO)薄膜并进行了后退火处理。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、光学测试仪器等测试手段对晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征。分析了不同射频溅射功率(60~100 W)对MCNO薄膜表面微观形貌、晶体结构和光学性能的影响。结果表明,在60~90 W下获得的薄膜表面致密且均匀,但在100 W下获得的MCNO薄膜表面晶粒尺寸显著增大。物相分析表明,采用射频磁控溅射沉积的MCNO薄膜主要为尖晶石结构,溅射功率对薄膜结晶质量和择优取向具有显著影响,在80 W下获得的MCNO薄膜结晶质量最佳。同时,拉曼光谱测试也表明该MCNO薄膜表现出最强的Mn^(4+)—O对称弯曲振动和最小的压应力。紫外-可见-近红外光谱分析表明,MCNO薄膜的吸光范围主要在可见光-近红外波段,在80~90 W溅射功率下获得的MCNO薄膜在近红外波段表现出更强的吸收峰。射频溅射功率的改变会影响薄膜的厚度和结晶质量,从而对薄膜的光学带隙起到调控作用。光致发光光谱测试不同溅射功率下薄膜的缺陷峰发光强度,且在功率为80 W时沉积的薄膜具有最强紫外发射峰,表明改变溅射功率能够有效改善薄膜缺陷及提高晶体质量。

高真空磁控溅射温度对Ga_(2)O_(3)微观结构及光学性能的影响

采用高真空射频磁控溅射法在硅Si(111)衬底上沉积氧化镓(β-Ga_(2)O_(3)),开展了溅射温度对Ga_(2)O_(3)微观结构及光学性能影响的研究,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光光谱仪等测试手段对Ga_(2)O_(3)晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征分析。实验结果表明,在高纯Ar气环境下,所沉积的Ga_(2)O_(3)形貌差异与不同溅射温度下Ga_(2)O_(3)生长机理有关,当溅射温度达到300℃时,Ga_(2)O_(3)发生热分解,形成金属Ga团簇;当溅射温度达到400℃时,金属Ga团簇作为催化剂触发Ga_(2)O_(3)纳米线的自催化生长。光致发光(PL)光谱中,Ga_(2)O_(3)样品在300~700 nm波长范围内显示出4个位于紫光、蓝光、绿光区域的发射峰,在溅射温度为400℃下形成的Ga_(2)O_(3)纳米线发射峰显著增强,并且发生轻微的蓝移,纳米结构中较大的比表面积以及量子尺寸效应对Ga_(2)O_(3)的荧光发射(PL)性能具有重要影响。拉曼光谱(Raman)显示,随着溅射温度升高,Ga_(2)O_(3)晶体质量有所提高;在溅射温度为400℃下形成的纳米线出现新的拉曼振动模式,并且发生18 cm^(-1)的蓝移。

焊接工艺参数对TA15/304不锈钢真空扩散焊接头组织与抗剪强度影响

针对TA15钛合金与304不锈钢的异种金属连接及其接头进行了研究.结果表明,在850~950℃的焊接温度下,接头扩散区(β-Ti区)和(α+β)-Ti双相区的宽度随温度的升高而增加,元素扩散更充分,接头孔洞逐渐减少,观察到逐渐增加的分层产物.分层产物主要为金属间化合物组成的界面层,即σ-Fe(第1层),FeTi+Fe_(2)Ti(第2层),FeTi+β-Ti(第3层)和β-Ti(第4层).当焊接温度为900℃时,焊接接头达到最大抗剪强度为108 MPa,随着焊接时间的提升,焊接接头的微观形貌,元素成分和物相组织与焊接温度参数接头类似,但焊接时间对接头的抗剪强度影响较小,当焊接时间为80 min时,抗剪强度达到最大,断口出现以韧性为主的脆-韧性混合断裂特征.