基于正交实验法的微电子工艺实验教学研究

为了分析微电子工艺实验教学中多因素对实验结果的影响,提高微电子工艺实验教学的综合性和创新性,利用正交实验及其方差分析的方法,研究了射频功率、工作压强、气体组分及流量配比对硅通孔刻蚀深宽比和刻蚀速率的影响,并采用正交实验,分析了各个因素对实验结果影响的显著性,获得了优化的工艺参数。基于此方法设计的工艺实验教学,提高了教学效率和学生的综合实践能力,达到了新时期培养微电子卓越人才和新工科建设的目标。