基于密度泛函理论探究拉伸应变对MoS_(2)光电性能影响

本文用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了拉伸应变对MoS_(2)光电性能的影响.发现:稳定性最强的为本征MoS_(2),最弱的为拉伸形变为30%的MoS_(2)模型.拉伸形变使Mo-S原子键长增大,周围电荷密度降低,键强减弱,并可以一定程度上改变Mo-S原子最外层电子的杂化强度及价带顶和导带底的电子移动.不同拉伸形变MoS_(2)模型对应的反射系数,随着拉伸应变的增加,反射峰值也逐渐增大.且频率范围在8.8 eV-9.15 eV区间内,紫外光处有较高的透光率,有望用于制备紫外光传感器等材料.

剪切形变下掺杂及缺陷对MoS_(2)电子结构的影响

本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS_(2)电子结构的影响.发现:剪切形变下,MoS_(2)+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS_(2)+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS_(2)+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS_(2)模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构.