HVPE法制备AlN单晶薄膜

采用氢化物气相外延(HVPE)在6H-SiC衬底上生长AlN单晶薄膜。利用热力学理论计算源区Al-NH体系中的物质平衡,表明源区温度为800~900K时,HCl与AlCl3气体分压为1∶3,主要产物是对石英管腐蚀较低的AlCl_3。控制源区温度800~900K,生长区温度1 373K,HCl流量25cm^3/min,分析NH_3和HCl流量比(R)对薄膜形貌及结晶度的影响。R=0.5时,获得表面平整光滑且厚度为7μm的AlN单晶。

多孔Ti-24Nb-4Zr合金电化学阻抗谱的研究

文章主要研究了多孔Ti-24Nb-4Zr合金在不同的p H值下的Na Cl溶液的电化学阻抗谱,并与常用的植入材料纯钛,Ti-6Al-4V合金,致密Ti-24Nb-4Zr合金的电化学阻抗谱进行对比分析,多孔Ti-24Nb-4Zr合金具有与参比材料相类似的腐蚀特性,基本符合医用植入材料的要求。