基于负载电流动态泄放技术的LDO线性稳压器

通过对LDO瞬态响应的分析,基于负载电流动态泄放技术,提出一种新型LDO线性稳压电路,减小了负载电流阶跃变化对输出电压的影响,从而改善了系统的瞬态响应特性。采用0.18μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,负载电流从1 mA到120 mA阶跃变化时,输出电压负向过冲减小60.1 mV,恢复时间缩短33.4μs;从120 mA到1 mA阶跃变化时,输出电压正向过冲减小47 mV,恢复时间缩短214.3μs。

AM-OLED显示驱动芯片中内置SRAM的设计

详细描述了一种内置于AM-OLED显示驱动芯片中的单端口SRAM电路的设计方法,提出了一种解决SRAM访问时序冲突问题的仲裁算法。同时给出了基于0.18μm标准CMOS工艺设计的一款大小为320×240×18位的SRAM电路。通过Hspice仿真结果表明,该结构的动态功耗相对于传统结构可减小22.8%。