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新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究
1
作者
王兆祥
秦阿宾
+1 位作者
刘志强
苏兴才
《集成电路应用》
2014年第2期28-32,共5页
本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH...
本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。
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关键词
半导体工艺
刻蚀
氨气等离子体
底部抗发射层
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职称材料
题名
新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究
1
作者
王兆祥
秦阿宾
刘志强
苏兴才
机构
中微半导体设备(上海)有限公司
出处
《集成电路应用》
2014年第2期28-32,共5页
文摘
本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。
关键词
半导体工艺
刻蚀
氨气等离子体
底部抗发射层
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究
王兆祥
秦阿宾
刘志强
苏兴才
《集成电路应用》
2014
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