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Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试
1
作者
李平
唐勇
程勤玙
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008年第12期18-19,共2页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代电力电子装置中得到了日益广泛的应用,尤其是第4代Trenchstop型IGBT的出现更具有革命性的意义。介绍了IGBT芯片技术的发展,着重分析了新一代Trenchstop型和目前应用较为普遍的NPT型IGBT的结构和性能,最...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代电力电子装置中得到了日益广泛的应用,尤其是第4代Trenchstop型IGBT的出现更具有革命性的意义。介绍了IGBT芯片技术的发展,着重分析了新一代Trenchstop型和目前应用较为普遍的NPT型IGBT的结构和性能,最后通过实验对两种相同等级、不同结构的器件进行了性能测试,结果表明Trenchstop型器件具有导通压降低、关断损耗小等优点。
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关键词
晶体管
结构
性能
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职称材料
题名
Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试
1
作者
李平
唐勇
程勤玙
机构
浙江大学
海军工程大学
武汉电信系统集成分公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008年第12期18-19,共2页
基金
国家自然科学基金重点项目(50737004)
国家自然科学基金资助项目(50607020)~~
文摘
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在现代电力电子装置中得到了日益广泛的应用,尤其是第4代Trenchstop型IGBT的出现更具有革命性的意义。介绍了IGBT芯片技术的发展,着重分析了新一代Trenchstop型和目前应用较为普遍的NPT型IGBT的结构和性能,最后通过实验对两种相同等级、不同结构的器件进行了性能测试,结果表明Trenchstop型器件具有导通压降低、关断损耗小等优点。
关键词
晶体管
结构
性能
Keywords
transistor
structure
performance
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Trenchstop与NPT型IGBT性能比较与测试
李平
唐勇
程勤玙
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008
0
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