拮抗多花黄精根腐病的内生真菌鉴定及发酵条件研究

多花黄精Polygonatum cyrtonema根腐病是制约其产量和质量的重要因素。为探索该病害绿色有效的生物防控途径,采用组织分离法获得多花黄精根茎内生真菌菌株HJ-53和多花黄精根腐病病原真菌。结合形态学特征和ITS/TEF序列分析对真菌菌株进行鉴定,确定内生真菌HJ-53为桔青霉Penicillium citrinum;多花黄精根腐病病原为尖孢镰刀菌Fusarium oxysporum,并通过科赫法则验证。采用平皿对峙培养和生长速率法初步测定了菌株HJ-53及发酵液乙酸乙酯提取物的抑菌活性,利用单因素及正交试验筛选了该菌株最适基础培养基和最适发酵条件。结果表明,内生真菌HJ-53具有较强的抗菌活性,其两点对峙培养和五点对峙培养的抑菌率分别达到了54.81%和61.04%;浓度为10 g·L^(-1)的菌株发酵液乙酸乙酯提取物,其抑菌率高达73.20%。该菌最佳发酵培养基为葡萄糖30 g·L^(-1)、蛋白胨15 g·L^(-1)和氯化钙1.5 g·L^(-1);最适发酵条件为发酵5 d,发酵温度25℃,摇床转速180 r·min-1,pH值为7。研究表明,内生真菌菌株HJ-53具有一定的生防潜力,可为多花黄精根腐病的生物防治菌剂的研究提供理论基础和菌种资源。

CXCL12联合VEGF对内皮祖细胞的增殖迁移及血管新生的影响

目的探索CXCL12与VEGF在EPC增殖、迁移和血管生成等过程中是否存在协同作用。方法 (1)用密度梯度离心法分离脐带血获取EPC并鉴定。(2)体外增殖实验:不同组别的细胞因子处理之后(CXCL12:10 ng/mL,50ng/mL,100 ng/mL;VEGF:10 ng/mL,50 ng/mL,100 ng/mL;CXCL12联合VEGF3组浓度分别为:10 ng/mL CXCL12+10 ng/mL VEGF;50 ng/mL CXCL12+50 ng/mL VEGF; 100 ng/mL CXCL12+100 ng/mL VEGF)CCK8检测细胞OD值。(3)体外细胞迁移实验:Transwell系统中不同浓度CXCL12及VEGF处理EPC后固定,DAPI染色,统计比较各组迁移到下层的EPC数。(4)体外管腔形成实验:不同组细胞因子处理EPC后(10 ng/mL VEGF,10 ng/mL CXCL12+10ng/mL VEGF; 50 ng/mL CXCL12+10 ng/mL VEGF; 100 ng/mL CXCL12+10 ng/mL VEGF)在基质胶上孵育4 h后,观察EPC管腔样结构的形成情况。结果与CXCL12相比,VEGF浓度依赖性的促EPC增殖;CXCL12联合VEGF促增殖能力在50 ng/mL浓度时达到高峰,但没有超过单独使用VEGF组。在迁移与管腔实验中,CXCL12联合VEGF组更能促进EPC的迁移和管腔形成能力,且呈浓度依赖性。结论 CXCL12和VEGF在一定浓度范围内联合的效应大于单一的作用,且有最佳浓度比例,可能会为EPC的移植治疗提供更好的生存环境。

基于脑电非线性分析观察高频重复经颅磁刺激对卒中后认知功能的影响

目的:结合脑电非线性分析技术,探讨高频重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)对卒中后认知障碍(post-stroke cognitive impairment,PSCI)患者的临床效果。方法:将40例PSCI患者随机分为rTMS组和对照组,每组20例。2组均给予基础药物及常规康复训练,rTMS组予以5 Hz rTMS,刺激靶点为左侧前额叶背外侧(dorsolateral prefrontal cortex,DLPFC),每日1次,每次20 min,共4周。于治疗前、治疗4周后采用蒙特利尔认知评估量表(Montreal cognitive assessment,MoCA)、Stroop色词测验(Stroop color-word test,SCWT)、连线测验A-B(trail making test,TMT)、P300检测评估患者认知功能,同时于安静闭眼状态下采集脑电信号,通过非线性参数关联维数(correlation dimension,D2)、近似熵(approximate entropy,ApEn)观察区域功能连接变化和其他脑区改变情况。结果:与对照组相比,治疗4周后,rTMS组患者MoCA评分明显增高(P<0.05);SCWT中卡片A耗时、卡片B耗时、干扰量耗时、干扰量正确数均明显下降(P<0.05);TMT中卡片A耗时、卡片B耗时、干扰量耗时明显下降(P<0.05);rTMS组P300潜伏期明显缩短(P<0.05);rTMS组D2值、ApEn值明显增加(P<0.05);rTMS组D2值在F4、O1、F8导联与对照组相比无统计学差异(P=0.074、0.179、0.120),其余导联均有统计学差异(P<0.05),ApEn值在FP1、FP2、F3、C4、P4、O2、F7、T3导联与对照组相比有统计学差异(P<0.05)。结论:高频rTMS治疗可有效改善PSCI患者认知功能,并影响局部神经环路,代偿认知功能。