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衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响
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作者 程四兴 黎兵 +7 位作者 唐萍 冯良桓 蔡亚平 张静全 李卫 武莉莉 曾广根 王文武 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期188-192,共5页
采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中,C... 采用射频磁控溅射法制备了CdTe/ZnTe多层薄膜,并在制备单层CdTe薄膜和ZnTe薄膜的基础上,研究了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性质的影响;通过XRD和透过谱、吸收谱的分析,对其结构进行了研究.结果表明在185℃下制备的CdTe/ZnTe多层膜中,CdTe和ZnTe均沿(111)晶面择优取向生长,尤其是ZnTe沿(111)晶面择优取向明显,衍射强度极大.通过比较不同衬底温度,发现185℃生长的样品衍射峰强度最高,成膜质量较好;通过吸收谱图分析,185℃下沉积的样品对光有较好的吸收性. 展开更多
关键词 磁控溅射法 CdTe/ZnTe 太阳电池 衬底温度
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