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脉冲激光沉积法制备SnSe薄膜电极及其电化学性质 被引量：4
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作者 薛明喆 程孙超 +1 位作者 姚佳 傅正文 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第3期383-387,共5页
采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末的混合靶制备SnSe薄膜,XRD结果显示室温下得到的是Sn和Se的混合薄膜,当基片温度为200℃时,薄膜主要由晶态的SnSe组成.该薄膜的首次放电容量为498mAh·g-1,30次循环之后的放电容量为260mAh·g-1.充放... 采用脉冲激光溅射Sn和Se粉末的混合靶制备SnSe薄膜,XRD结果显示室温下得到的是Sn和Se的混合薄膜,当基片温度为200℃时,薄膜主要由晶态的SnSe组成.该薄膜的首次放电容量为498mAh·g-1,30次循环之后的放电容量为260mAh·g-1.充放电测试、循环伏安曲线和ex-situXRD结果显示,SnSe能够和Li发生可逆的电化学反应,充电过程中能够重新生成SnSe,表现出不同于其它氧族元素锡化物的电化学性质. 展开更多
关键词 SnSe 脉冲激光沉积 锂离子电池 薄膜
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