半导体的行业挑战与摩尔定律

在作为半导体工业发展革新的试金石数十年之后，当今的经济条件可能会使摩尔定律失效。这种可能的趋势，对芯片制造商和其他的相关行业从业者的影响是戏剧性的。<br> 1965年，Intel 公司的共同创始人 Gordon Moore 发布了他对半导体行业规律的观察总结报告，这个报告在直至今天的半导体行业中起着工业界试金石的作用，这就是行业著名的摩尔定律。在摩尔定律的统治之下，近50年来，全球半导体工业取得了创纪录的深刻成就。摩尔定律指出：集成电路上的晶体管数目每2年翻1倍。在过去40几年里，摩尔定律为半导体工业的发展节奏设定了基本步调。摩尔定律同时预测了集成电路产品的特征尺寸每2年缩小0.7倍，以常数速度缩小尺度的同时，单位成本也跟随同步下降。摩尔定律使得在硅芯片单位面积里装进更多的晶体管成为可能，使集成电路的运行速度、紧凑性提高、功耗降低等性能随着增加。

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。

分步光刻机的计算机控制

本文在计算机控制理论的基础上，从接口的角度对精度要求高、过程动作及其复杂的直接分步光刻机的计算机控制做了深入探讨。提出了构造系统控制总线的方法，就总线对各分系统控制的实现做了深入研究，提出了几种保证可靠性和整机效率的方法，并实际应用于ＢＧ—１０２直接分步光刻机控制，效果良好。

光学光刻机的未来技术

1集成电路技术路线图1．

EUV光刻技术的挑战

光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻机双曝光技术,极紫外(波长13.5 nm)光刻技术可以为集成电路的生产提供更高的k1,在提供高分辨率的同时拥有较大的工艺窗口,减小光刻工艺复杂性,是具有很大吸引力的光学光刻技术,预计将在14 nm/11 nm节点进入集成电路批量生产应用。但是,极紫外光刻技术还有包括曝光成像(patterning)、掩模版(mask)、光刻机(scanner)、高功率极紫外光源(source)、极紫外光刻胶、光学系统寿命等挑战需要解决。其中光刻机方面的挑战主要有:光刻机基础平台技术,对焦、剂量与套刻控制技术,光学设计与制造技术,光学测量技术,多层膜技术,波像差、杂散光控制等技术。本文对极紫外光刻的主要挑战技术进行论述。

半导体设备市场的新挑战与新机遇

通过对国内半导体产业发展形势和国内半导体专用设备行业现状的分析,阐述了建立一支掌握着先进技术,又能提供优质服务、反应快速的技术支持队伍的重要性。

ASML扫描机与NIKON步进机的匹配技术

如何实现PAS扫描机与NSR步进机混合匹配,从匹配的可行性、匹配步骤、匹配精度控制、匹配校准问题进行分析,最终实现PAS5500/700与NSR2205i12之间的匹配和混合光刻技术,包括:(1)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配目的;(2)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配步骤;(3)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配参数调整;(4)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配校准;(5)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配试验过程及结果;(6)PAS扫描机与NSR步进机系统的匹配结论。该技术已成功地应用于高性能集成电路器件的研制和生产,实现了180 nm线宽和350 nm线宽工艺的稳定匹配曝光。

国内二手半导体设备的翻新调试及情况分析

介绍了国内二手半导体设备的市场应用、特点,并着重就国内二手设备的翻新调试和使用等方面的问题做了介绍分析并给出了一点建议,对行业有一定的指导作用。

可编程序逻辑器件的原理及应用

基于ＰＲＯＭ技术的ＰＬＤ器件代表了未来硬件技术的发展方向。对比于传统的ＴＴＬ标准逻辑，ＰＩ．Ｄ器件具有易设计、功能强、可靠性高、成本低等优点。本文根据其原理论述了它的各个优点，并给出了设计方法和典型应用。

微光信号探测对准技术

通过对光栅对准原理、结构的分析,以及在光刻设备中的实际应用,探讨微弱光电信号探测对准技术。