CMOS图像传感器及应用

CMOS图像传感器是多功能、高性能的摄像器件。本文详细介绍了其工作原理及其在微型摄像机、数码相机、PC多媒体等中的应用。

热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析

主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。

非致冷微测辐射热计红外焦平面阵列发展现状

综述了非致冷微测辐射热计红外焦平面阵列（ＵＭＢＩＲＦＰＡ）的发展现状。

混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况

将热释电探测器与硅多路传输器用铟柱互连，即可实现混合式非致冷红外焦平面阵列。

具有TDI读出模式的HgCdTe IRCCD的新发展

文章概述了时间延迟与积分（ＴＤＩ）的基本概念、典型结构、工作原理。

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多路传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｔＳｉ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波、长波红外焦平面阵列的现状及性参数。

国外硅基UMBIRFPA制备技术研究进展

介绍了国外硅基非致冷微测辐射热计红外焦平面阵列（Ｓｉ－ＵＭＢＩＲＦＰＡ）的典型结构、制备工艺技术以及ＵＭＢＩＲＦＰＡ的性能参数。

金属硅化物及其在肖特基势垒IRCCD焦平面阵列中的应用

叙述了金属硅化物的形成、组分、性质和金属硅化物形成过程中的问题。简述了金属硅化物的形成机理、分析技术及其在金属硅化物(Pd_2Si,PtSi 和IrSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列中的应用。

CCD多路信号传输器的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了１６位线阵ＣＣＤ多路信号传输器，器件动态范围达４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％。文章阐述该器件的结构、工作原理、器件参数分析及影响器件性能的因素和专项工艺研究。

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD (EBCCD)及微光摄像器件的发展现状。

单片式红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍金属硅化物肖特基势垒红外探测器阵列(MSSBIRDA)、碲镉汞电荷注入器件(HgCdTeCID)、电荷成像矩阵(CIM)、锑化铟电荷注入器件(InSbCID)以及砷化镓/砷铝镓(GaAs/GaAlAs)多量子阱单片式红外焦平面阵列的现状。

硒化铅光导型红外探测器的电极选择

本文主要介绍硒化铅光导型多元红外探测器的电极材料选择和电极的制备工艺。

CMOS图像传感器的基本原理及设计考虑

介绍CMOS图像传感器的基本原理、潜在优点。

CMOS图像传感器技术在军事中的应用

超大规模集成技术的发展,CMOS图像传感器已显示出强劲的发展趋势。目前的CMOS图像传感器已在单芯片内集成了时序和控制电路、A/D转换、信号处理、自动增益控制,精密放大和存储等功能。文章介绍了CMOS图像传感器技术在军事中的应用情况。

Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格量子阱红外探测器和焦平面阵列现状

文章主要介绍 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格量子阱长波红外探测器和新颖的红外焦平面阵列的现状。

CCD图像传感器在军用武器装备中的应用

CCD图像传感器实质是MOS电容器的新应用,目前国外发展很快,已趋于成熟,并且进入批量生产阶段,应用领域不断扩展。本文主要概述CCD图像传感器在军用武器装备中的应用。

图像传感器在医学诊断领域中的应用

图像传感器是多功能、高性能的摄像器件。主要介绍CCD和CMOS图像传感器在医学诊断领域中的应用。

新颖的红外焦平面阵列技术

本文主要介绍新颖的GeSi/Si异质结势垒内光电发射长波红外探测器阵列和AlGaAs/GaAs量子阱红外光电探测器阵列的现状、工作原理、典型结构、制备技术及其性能。

纳米电子/纳米光电子技术

主要介绍纳米技术领域里纳米电子学/纳米光电子学的基本概念、纳米电子学的分类、纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米电子学和纳米光电子学的发展模式以及纳米高技术群。

接触式图像传感器的发展与应用

CIS(接触式图像传感器)是一种新型图像传感器。它比CCD部件结构更紧凑 ,体积更小 ,且价格更低。可广泛用于小型低功耗便携式扫描仪等系统 。