Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3 和BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3 系组成进行了Dy2 O3 和La2 O3 稀土改性的研究 ,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能 ,观察了样品的显微结构 ,讨论了Dy2 O3 和La2 O3 在改变BaTiO3 铁电温谱特性的作用 .结果表明 :Dy2 O3 和La2 O3 的掺杂效果存在差异 ,Dy2 O3掺杂明显促使BaTiO3 细晶化 ,而La2 O3 掺杂呈现出对BaTiO3 基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应 .在BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3-Dy2 O3 系统中可获取高介高压特性瓷料 ,其介电常数≈ 3 0 0 0 ,tgδ <1.5 % ,介电温谱符合“X7R”标准 ,击穿强度可达 7～

纳米TiO_2介孔薄膜的模板组装制备研究

以TiCl4为无机前驱体、三嵌段高分子共聚物EO20PO70EO20为模板剂，在非水条件下制备了有序的锐钛矿TiO2纳米晶介孔薄膜。通过热重-差热(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、原子力显微观察(AFM)及N2吸附-脱附等测试对样品进行了表征。结果表明，薄膜具有均一的大介孔孔径(～10nm)，其BET比表面积为150m^2·g^-1，薄膜较宽的无机壁厚显著提高了介孔结构的热稳定性。通过红外(IR)光谱分析考察了溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化。在对薄膜表面形貌进行AFM观察的基础上初步探讨了嵌段共聚物EO20PO70EO20对薄膜孔结构形成的导向机理。

聚乙二醇含量对纳米TiO_2多孔薄膜性质的影响

以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂 ,加入聚乙二醇 (PEG)作模板制备前驱体溶胶 ,通过溶胶 凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在 10～ 10 0 0nm范围内可调的纳米TiO2 多孔薄膜 .通过ESEM ,AFM ,UV VIS ,N2 吸附 ,XPS和XRD等测试手段研究了PEG(10 0 0 )的加入量对薄膜结构及性能的影响 .结果表明 ,当10 0mL溶胶中PEG的加入量在 4 0 g左右时 ,可以得到三维扩展的多孔结构 ,孔的形状规则且分布均匀 ,孔径为2 0 0～ 5 0 0nm ,薄膜比表面积可达 76 1m2 /g ,而过多的PEG加入量反而导致薄膜性能下降 .

SILAR法制备无机化合物薄膜

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺—SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。

CdS薄膜的SILAR法制备与表征

采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了CdS薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle,随循环次数的增加,沉积粒子的尺寸趋于增大.室温下沉积的CdS薄膜为非晶态,经热处理后薄膜的结晶度提高,电阻率显著下降.此外,文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论.

ZnO-MoO_3添加(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4微波陶瓷的介电性能

微波电路的小型化、集成化和高可靠性对微波陶瓷提出了特殊的要求.作者在(Zr0.8Sn0.2)TiO4主相系统中,单一添加ZnO或复合添加ZnO MoO,考察了不同含量的上述改性添加剂对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷显微结构和微波介电性能的影响.主相合成条件为1100℃下3h;粉碎、成型后样品在1240℃～1400℃下3h烧成.在1GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数和Qf值,并在1M下测量了频率温度系数τf.采用SEM对样品进行形貌观察及能谱分析,并进行了XRD表征.研究结果表明,单独添加少量的ZnO(1%)可以降低烧结温度,但Qf值较低,与复合添加样品的显微结构相比晶粒不均匀.复合添加MoO3(0.25%)和ZnO(1%)的(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷Qf值由49430GHz提高到61210GHz,同时介电常数εr和谐振频率温度系数τf基本保持不变.

ZnO薄膜的制备及其光学性能

以柠檬酸为络合剂、采用无机盐溶胶 -凝胶法 ,在玻璃基片上用提拉法制备了多孔ZnO薄膜。利用红外光谱、DTA -TG、XRD、SEM、UV -VIS透射等分析测试 ,考察了溶胶 -凝胶制备特征、热处理过程和热处理温度下薄膜的成相、表面形貌以及光学性能。结果表明 4 0 0℃热处理 1h的ZnO薄膜已开始晶化 ,晶型是六方纤锌矿 ;6 0 0℃热处理 1h的薄膜表面为多孔结构 ,粒径和孔径均匀 ;在可见光范围 ,薄膜的光透射率超过 85 % ,在波长 380nm开始出现紫外吸收 ;从而为该材料制作染料敏化的太阳能电池阳极薄膜打下良好的基础。

超声条件下羟基磷灰石纳米针状晶体的制备

采用超声波处理技术,在常压下用湿化学沉淀法制备羟基磷灰石纳米针状晶体。通过控制超声处理过程中的超声时间和超声时分散剂的含量,研究了制备过程中超声处理条件对纳米针状羟基磷灰石形态和结晶度的影响,得知釆用超声处理有助于对人体骨纳米针状晶羟基磷灰石的模拟制备。

超声处理对羟基磷灰石纳米针状晶形成的影响

实验采用液相沉淀法以硝酸钙和磷酸氢二铵为原料 ,以水为溶剂 ,以氨水为调节剂 ,采用不同的工艺条件 (反应物浓度和分散剂种类 )制备了羟基磷灰石 ,然后对试样进行超声处理 ,研究了制备工艺条件对所获纳米针状晶体在形态和生长上影响。

导电陶瓷的研究

本文研究了SnO_2导电陶瓷,给出了配方范围,考察了它的抗硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸的腐蚀能力,发现在酸中长期浸泡之后,失重量极微.同时本文也研究了在广泛温度范围内,SnO_2半导化机制.发现其半导化机制为Sb^(5+)和氧空位.

添加SrO或SnO_2对Ba_(4.5)(Nd_(0.84),Bi_(0.16))_9Ti_(18)O_(54)微波陶瓷介电性能的影响

对Ba4.5(Nd0 .84,Bi0 .1 6 ) 9Ti1 8O54 (BNBT)系微波陶瓷进行了组成改性的研究。添加不同量的SrO或SnO2 于主相材料中 ,分别替代Ba或者Ti,合成条件为 110 0℃下保温 3h ,粉碎、成型后 ,在 12 70℃下保温 3h烧成。在 10GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数εr和机械品质因数Q ,在 2 0～ 90℃范围测量了频率温度系数τf。结果表明 :Sr,Bi复合掺杂能够使BNBT材料保持较高的介电常数 ,同时Qf值 (机械品质因数Q与测量频率之积 )由 5 899GHz上升到 92 5 9GHz,而少量的SnO2

Cu(SCN)_2-水系电沉积制备CuSCN薄膜

用电化学沉积法,以水作溶剂,在ITO透明导电玻璃上制得p-CuSCN薄膜。探讨了Cu(SCN)2-在水溶 液中的不稳定性及EDTA络合对提高CuSO4和KSCN水溶液稳定性的作用。研究结果表明,未加EDTA络合 剂时,CuSO4和KSCN在水溶液中将分解成CuSCN和(SCN)x;加入EDTA可以制得稳定的CuSO4和KSCN的 水溶液;在-400mV恒电位下,在EDTA与Cu2+的摩尔比为1∶1的水溶液中可以制备出在可见光区透光性好 的CuSCN薄膜,薄膜的平均粒径约为50nm,是p型的β- CuSCN半导体,光学带隙为3.8eV,测得的表面电导 率为0.8×10-3S/cm。

模板组装纳米TiO_2多孔膜及形成机理

以钛酸丁酯(TBTi)为原料,加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板,采用溶胶-凝胶技术合成了孔径10-500nm可调的纳米TiO2多孔薄膜。扫描电镜(SEM)观察结果表明,合成过程中水含量增加形成的薄膜孔密度减小,而PEG加入量的增加,薄膜表面孔径和孔密度增大。通过红外光谱测试对溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化进行了系统的分析,初步探讨了薄膜多孔结构的形成机理。

连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

采用液相薄膜制备工艺———连续离子层吸附反应法(successiveioniclayeradsorptionandreaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜。采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察。实验结果表明:SILAR法制备薄膜的生长速率约为3nm/cycle。(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)/n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关。随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大。通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜。

铝酸锶铕系发光材料的制备及其发光机理

20世纪发现和发展起来的铝酸锶铕体系长余辉发光材料是一类重要的新型能源和节能材料.综合评述了铝酸锶铕系发光材料的光学性能,对其制备方法进行了系统描述,同时对其发光机理进行了介绍,并总结了这种发光材料的研究现状.

PEG模板组装纳米TiO2多孔薄膜的制备

以钛酸丁酯为无机原料,加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板剂,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10 nm～1 000 nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过SEM,AFM,UV-VIS和N2吸附等测试手段对薄膜的多孔结构进行了表征.结果表明,通过调节溶胶中PEG的分子量和浓度,可以控制薄膜中孔的孔径及孔分布密度,有效提高薄膜的比表面积.此外还考察了提拉速度和焙烧制度对薄膜多孔结构的影响.

无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜(英文)

利用无机络合溶胶 -凝胶法制备多孔 Zn O薄膜 ,同时利用多种测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、多孔和光学性能进行了研究 .XRD和 SEM的测试结果表明 ,Zn O薄膜的晶体结构为六方纤锌矿 ,薄膜表面呈多孔状 .由孔径分布曲线得出薄膜的孔主要集中在介孔 2 .0 2 nm和 4 .97nm ;5 0 0℃煅烧得到的 Zn O薄膜的比表面积是2 7.5 7m2 /g;在不同温度下煅烧的薄膜在可见光区域透射率均高于 85 % ,光学带宽为 3.2 5 e V.

浸渍离子层气相反应法制备CuInS_2薄膜

以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。研究混合前驱体溶液中Cu2+与In3+的离子浓度比[Cu2+]/[In3+]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响。当溶液中[Cu2+]/[In3+]在0.75～2.00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜。当[Cu2+]/[In3+]=1.50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成,薄膜表面均匀性随着[Cu2+]/[In3+]的增加而降低。CuInS2薄膜的光吸收系数α均高于104cm-1,其禁带宽度Eg在1.30～1.40eV之间。制备的p型CuInS2半导体薄膜在室温下其表面暗电阻ρ随[Cu2+]/[In3+]的增加而有明显的降低趋势。

ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

采用一种薄膜制备的新方法一离子层气相反应法(ILGAR),以CdCl2为前驱体,H2S为硫源制备了CdS薄膜。利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV-VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究。实验结果表明:ILGAR法制备的CdS薄膜表面较致密、均匀、附着性好;在0.05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理,薄膜以-2.8nm/cycle的恒定速率增长,且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长;400℃热处理1h,发生立方→六方晶型转变,最终为六方与立方混相结构,择优方向转为六方(002)面;薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移,其禁带宽度降低,并且会随着膜厚的增加进一步降低。