客座主编寄语

集成电路是电子信息产业的基石与核心,广泛应用于电子、通讯、交通、医疗、空天等众多领域,对推动经济发展、促进社会进步、保障国家安全都具有至关重要的战略意义和不可替代的关键作用,已成为衡量一个国家科技实力的重要指标。集成电路是一个知识密集、技术密集、人才密集、资金密集的超长产业链体系,可分为以半导体材料、装备为主的产业链上游,以芯片设计、制造为主的中游,以及包括各种应用领域的下游。作为上游,半导体材料与装备技术是整个产业须臾不可或缺的“工业粮食”,是根基和起点。

抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究

分析了相变存储器应用于航天器时应该考虑的高低温可靠性,并设计实验研究镁光公司研发推出的低功耗相变存储芯片LPDDR2-PCM MT66R7072,以评估其空间应用的可行性;实验结果显示:在-40~80℃范围下,相变存储芯片能够正常实现读写操作,在25℃下,待机功耗为9.792mW,最大工作功耗为36.474mW,相对现役空间存储器,表现出明显的低成本、低功耗和高可靠性等优势。

“动态测试”用于机床故障诊断

“动态测试”是指机床在工作状态下,即在切削负荷的作用下,测量机床基础件或部件的刚性变形、热变形、振动位移的一种检测方法。 自1994年以来,我们采用“动态测试”解决了 一些机床大修后的故障诊断。例如,我们承修完一台机械传动的B690牛头刨床,在精刨工作台面时出;①台面呈明显的鱼鳞状波纹。②工作台纵、横两方向相对工作台运动方向和滑枕运动方向的平行度,要求0.05mm/全长。

具有超薄Al_(2)O_(3)钝化层的高性能近红外PtSe_(2)/n-Ge异质结光电探测器

二维(2D)材料正被广泛用于宽带响应光电探测器(PD).然而,基于2D材料的宽带响应PD通常对红外波长的响应较差.在此,我们报告了垂直PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD在近红外照明下的优异光响应性能.我们直接硒化沉积在Al_(2)O_(3)/Ge上的Pt膜以形成PtSe_(2)层.超薄Al_(2)O_(3)钝化层起到表面改性的作用,有效地削弱了光生载流子的复合.在1550 nm的光照下,我们的PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD的工作面积为50μm×50μm,并在零偏压下获得了4.09 A W^(-1)、32.6/18.9μs的大响应度和快速上升/下降时间.在-5 V的外加电压下,PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD的响应度和响应速度分别高达38.18 A W^(-1)和9.6/7.7μs.我们发现器件的工作面积对光响应特性有很大的影响.此外,我们证明PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge PD阵列在室温下显示出了优异的紫外、可见光和红外成像能力.我们的研究表明,PtSe_(2)/超薄Al_(2)O_(3)/Ge异质结在设计具有优异近红外响应性能的新兴宽带光电子器件方面具有巨大的应用前景.