立方砷化硼晶体生长、性能及应用研究进展

立方砷化硼(c-BAs)是一种间接带隙、闪锌矿结构的新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。第一性原理计算预测c-BAs具有超高的热导率,从而激发了对其晶体合成和性能研究的热潮。尤其是近年来在晶体生长方面取得的突破性进展,通过化学气相传输(CVT)法制备了毫米尺寸的高质量c-BAs单晶,室温下其热导率高达1300 W·m^(-1)·K^(-1),吸引了人们极大的关注,也进一步鼓舞了人们对其理论和实验方面的研究。本综述将归纳总结近年来关于c-BAs理论计算、晶体生长、物理性能以及材料应用方面的研究进展,阐述了该晶体制备方面所面临的挑战,并对其发展前景进行展望。

发光碳点的结构、制备及应用

碳点(CDs)是目前比较受关注的一类新型碳纳米材料,其性能优异且发光可调,应用范围广。介绍了CDs的分类和其不同类型的结构,归纳总结了几种主要的CDs制备方法和优缺点。重点探索了CDs在防伪、传感和发光二极管(LED)领域的应用研究进展,并进行了展望。