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碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计
被引量:
1
1
作者
程雨顺
郭慧君
+3 位作者
李浩
陈路
林春
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期6-12,共7页
碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下...
碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下的暗电流和增益特性。计算讨论了不同I区(本征区)厚度和载流子浓度对器件暗电流和增益的影响。结果表明结区峰值场强的变化会导致直接隧穿(BBT)电流产生率数量级上的剧烈变化;增加I区厚度和降低I区掺杂浓度可有效抑制BBT电流;增益随场强的变化趋势与BBT电流随场强的变化趋势一致;因此抑制BBT电流的措施会造成增益性能的下降,需要优化参数以获得最佳性能。综合考虑暗电流和增益性能,I区的厚度应不小于3μm,I区浓度需控制在5×10^(14)cm^(-3)以下。单元中波APD的增益实验结果与仿真数据较好地吻合,表明了理论模型的正确性。
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关键词
HGCDTE
雪崩光电二极管
仿真
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职称材料
题名
碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计
被引量:
1
1
作者
程雨顺
郭慧君
李浩
陈路
林春
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期6-12,共7页
基金
上海市青年科技英才扬帆计划(18YF1427400)~~
文摘
碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下的暗电流和增益特性。计算讨论了不同I区(本征区)厚度和载流子浓度对器件暗电流和增益的影响。结果表明结区峰值场强的变化会导致直接隧穿(BBT)电流产生率数量级上的剧烈变化;增加I区厚度和降低I区掺杂浓度可有效抑制BBT电流;增益随场强的变化趋势与BBT电流随场强的变化趋势一致;因此抑制BBT电流的措施会造成增益性能的下降,需要优化参数以获得最佳性能。综合考虑暗电流和增益性能,I区的厚度应不小于3μm,I区浓度需控制在5×10^(14)cm^(-3)以下。单元中波APD的增益实验结果与仿真数据较好地吻合,表明了理论模型的正确性。
关键词
HGCDTE
雪崩光电二极管
仿真
Keywords
HgCdTe
APD
simulation
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计
程雨顺
郭慧君
李浩
陈路
林春
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
1
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