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双极型微波器件失效分析与改进 被引量:2
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作者 孙英华 李志国 +4 位作者 程尧海 吉元 张炜 李学信 穆德成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期28-32,共5页
针对浅结器件欧姆接触退化问题,利用3DG44、3DG86微波管进行研究分析,发现其EB结失效非常严重,并且结越浅对高温工艺越敏感,经SEM显微分析表明,失效机理为发射区处Al、Si的互扩散,Al离子进入发射区。将新型... 针对浅结器件欧姆接触退化问题,利用3DG44、3DG86微波管进行研究分析,发现其EB结失效非常严重,并且结越浅对高温工艺越敏感,经SEM显微分析表明,失效机理为发射区处Al、Si的互扩散,Al离子进入发射区。将新型金属化系统Al/TIN/Ti用于实际器件,TiN有效地阻止了Al、Si的互扩散,其EB结特性明显改善,成品率和可靠性显著提高。 展开更多
关键词 微波器件 欧姆接触 TiN阻挡层 失效
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Al/TiN/Ti多层金属化在微波器件中的应用研究
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作者 孙英华 李志国 +3 位作者 程尧海 郭伟玲 李学信 穆德成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期19-22,共4页
在双极型微波器件3DG44、3DG86上采用了新型金属化Al/TiN/Ti系统.研究了多种热电应力下TiN的阻挡特性,结果显示采用TiN层的器件抗热电迁徙能力显著提高,加速寿命为原器件的3倍多。AES分析表明原器件失... 在双极型微波器件3DG44、3DG86上采用了新型金属化Al/TiN/Ti系统.研究了多种热电应力下TiN的阻挡特性,结果显示采用TiN层的器件抗热电迁徙能力显著提高,加速寿命为原器件的3倍多。AES分析表明原器件失效机理为Al、Si互扩散,致使EB结退化.而采用TiN阻挡层的器件发射区中未发现Al离子,TiN有效阻止了Al、Si的互扩散,提高了界面稳定性。 展开更多
关键词 欧姆接触 阻挡层 电徒动 微波器件 金属化
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150W射频线性功率管的研制
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作者 穆德成 《电子》 1991年第1期2-9,共8页
关键词 射频 线性 功率管 晶体管 接收设备
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在900MHz下工作的高功率高增益VDMOSFET
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作者 Ishik.,O 穆德成 《电子》 1991年第2期28-32,共5页
关键词 VDMOSFET 场效应晶体管
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