基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制

近年来在无线通信、雷达等领域,对发射的功耗要求越来越苛刻,而产品可放置的空间越来越小,这就要求功率放大器要有更高的效率以及更高的工作结温,新一代宽禁带半导体材料GaN能够满足该要求。基于CREE公司的GaN功放管CGH40045研制了一款S频段的功率放大器,主要进行了功率匹配、散热考虑、杂散抑制的设计。最终的测试结果显示,在300 MHz的带宽内功率增益≥50 dB,饱和输出功率≥46 dBm,工作效率≥50%,比之前采用的工作效率为30%的GaAs功率放大器有了显著的提高。可见在今后的通信系统中,基于新一代半导体材料GaN的功率放大器有着非常好的应用前景。